VCR11N是Linear Systems一款单片双N沟道JFET压控电阻器,其主要特点包括电压控制电阻、高关断隔离、高输入阻抗、增益范围能力、简化的驱动电压、无电路交互和宽范围信号衰减。应用领域包括放大器增益控制、振荡器幅度控制、小信号衰减和滤波器构建等。
Lattice LAXP2-5E-5QN208E是一款高性能FPGA,属于LatticeXP2系列,包括208引脚QFP封装、1.14V至1.26V工作电压、146个用户I/O(支持多种电压)、5000个逻辑元件、12个乘法器、166Kbit嵌入式存储器、全球时钟支持、DLL/PLL设备、可重编程性、-40℃至125℃工作温度范围,适用于汽车应用,支持PPAP协议,RoHS合规。
Rogers超薄PORON®AquaPro™4701-37TS9-19泡棉是一种高性能聚氨酯泡沫,专为现代电子设备的薄型化和轻量化需求设计。它具有出色的水密封性能,能有效防止水分侵入,保护设备。特点包括抗应力松弛和压缩永久变形、热稳定性(40°C至90°C)、阻燃性(符合UL94 HBF和FMVSS 302标准),厚度范围从0.15毫米到12.7毫米。环保、可靠的水封能力、耐化学腐蚀和耐用性是其优点。自粘形式便于安装,适用于消费电子和汽车应用,提供卓越保护和性能。
DEI1188-SES是一款专为航空电子系统设计的8通道分立数字接口乐动平台,它具有8个离散输入,输入电流为1 mA,内部隔离二极管提供保护。它支持SPI接口,数据速率可达10 MHz,电源电压为3.3V和12.0V至16.5V,采用16L SOIC EP封装。适用于航空电子系统,提供高抗扰度和可靠的数字接口,有效抵御雷电瞬变。
BFP420H6327XTSA1是一款由Infineon Technologies生产的NPN硅射频晶体管,专为高增益低噪声放大器设计,适用于频率高达10 GHz的振荡器应用。该晶体管在1.8 GHz下具有1.1 dB的低噪声系数和21 dB的增益,适用于无线通信系统中的射频前端。它具有25 GHz的高转换频率,采用高可靠性镀金层,适用于移动通信、卫星通信等无线通信系统,以及有源混频器、放大器和振荡器。
R5F52315CDFM#30微控制器是瑞萨电子的RX231系列中的一款高性能32位MCU,采用RXv2 CPU内核,支持DSP和FPU,具备低功耗技术。它提供高灵敏度电容式触摸传感器,支持SD主机接口、USB和CAN通信,适用于工业控制、家用电器、医疗保健、智能电表和IoT设备。瑞萨电子提供参考解决方案,帮助用户快速整合安全、加密、HMI和触摸键功能,加速产品开发。
MTI-Milliren 411系列TCXO温补晶振是一款高质量产品,通过AS9100和ISO9001认证,符合RoHS标准。它提供宽温度范围内的稳定性、电压控制和内部调谐器选项,频率范围8 MHz至35 MHz,支持5V和3.3V电源电压,提供削波正弦波或HCMOS/TTL输出。具有低相位噪声和14引脚DiP兼容封装,适用于航空、军事和民用领域,提供高精度频率控制和稳定性能,满足不同用户需求。
iNRCORE品牌的SLIC系列SMT共模扼流圈是一款高性能、高可靠性的产品,适用于直流/直流转换器,具有宽泛的温度工作范围(-55°C至+130°C)、多种电感量和磁导率选项,以及不同的引脚配置,以满足不同电路板设计需求。这些共模扼流圈通过提供电气隔离和噪声抑制功能,确保电子系统的稳定运行。
AEIC-7273-S16是Broadcom博通公司生产的四通道差分线路驱动器IC,适用于工业自动化和控制系统。电源电压3.5V至30V,工作频率800KHz,NPN集电极开路输出可达30V,提供80mA峰值电流。应用领域广泛,包括工业编码器、传感器接口、接近开关、PLC、光栅和MR传感器系统等,能在恶劣环境中提供可靠数据传输。
DS90CR286MTD是一款由德州仪器(TI)生产的高性能LVDS接收器,与DS90CR285发送器配合使用,构成Channel Link芯片组。它将LVDS链路传输的4个数据流和1个时钟信号转换为28位LVCMOS/LVTTL格式。在66 MHz时钟下,每个LVDS通道速率462 Mbps,总吞吐量1.848 Gbit/s(231 MB/s)。
QTCT5703C1T-50.000000是Q-Tech的一款高性能表面贴装温补晶振(TCXO),专为低压应用设计。它具有50.000000MHz的频率,2.8Vdc至3.3Vdc的供电电压,工作温度范围为-40ºC至+85ºC。提供±0.5ppm至±2.5ppm的频率稳定性,输出类型可选截断正弦波或CMOS逻辑输出。采用密封陶瓷封装,符合MIL-PRF-55310 3类设备标准,适用于军事和航空电子应用。适用于仪器仪表、导航系统、航空电子设备等多种应用。
XCM526AC95DR-G是TOREX生产的高效降压DC-DC转换器,集成了降压DC/DC控制器和P-沟道功率MOSFET,提供3A输出电流。提供300kHz、500kHz和1MHz开关频率选择,支持PWM控制或PWM/PFM自动切换控制。具备软启动和UVLO功能,电源电压范围4.0V至16.0V,输出电压1.2V至0.9V±1.5%,最大输出电流3.0A。符合环保标准,适用于多种便携式电子设备。
BQCTR-XXXMX-XXXXB晶体是Bliley生产的高温电子元件,专为5G和6G网络等无线通信系统设计。涵盖500kHz至350MHz的频率范围,+25℃时的频率精度可达±50ppm至±100ppm,绝缘电阻最小500MΩ,典型驱动电平100μW,分流电容最大1.0至5.0pF,负载电容典型6至20pF。该晶体在高温环境下稳定工作,特别适用于无线通信系统。
PMTA-0218-17-2低噪声放大器是Princeton Microwave专为2 GHz至18 GHz频率范围设计的高性能射频放大器。其特点包括:频率范围2 GHz至18 GHz,最小17 dB的小信号增益,±1.25 dB的增益平坦度,2 dB的噪声系数,-10 dB的输入/输出回波损耗,最小18 dB的输出,12 V的直流工作电压,100 mA的直流工作电流,SMA连接器,5 dBm的射频输入功率,-40℃至85℃的工作温度,-55℃至150℃的储存温度。
SI3495DV-T1-GE3 P通道MOSFET是Vishay生产的Si3495DV系列产品,采用TSOP-6封装,8引脚,标识为Dgume Number 1 73350。规格包括2.5 V至5.5 V工作电压,1000 V DC耐压,200mA/100mΩ电流容量,2 MHz开关频率,1.0 kΩ/1000 V DC绝缘电阻。具备满足多种电路设计和应用需求的特性和优势。
Solitron 2N5911/2N5912双通道N沟道JFET专为宽带差分放大器设计,采用TO-78封装,适用于军事应用,提供定制规格和匹配包装选项。特点包括低噪声水平(4.0 nV/√Hz)、低漏电流(小于10pA)和低输入电容(5.0 pF)。这些特性使其在需要高性能、低噪声和低漏电流的应用中表现出色,尤其适合精确的宽带差分放大器。如需更多信息或定制需求,请直接联系工厂。
AXH003A0XZ是OmniOn Power公司生产的MiniLynxTM SIP系列非隔离式DC-DC转换器,尺寸紧凑(22.9mm x 10.2mm x 6.63mm)。它支持2.4V至5.5V的宽输入电压范围,输出电压可调(0.75V至3.63V),在3.3V输出时提供高达3A的电流,效率可达94%。适用于分布式电源架构、电信设备、服务器和网络设备等应用,特别适合为DSP、FPGA、ASIC等乐动平台提供电源。
CX-1V晶体是Statek公司生产的一款适用于200-240 kHz频率范围的振荡器设计晶体。它具有12 μA的驱动电流,3 kΩ的动态电阻,并需要大约4.5 pF的有效负载电容。。CX-1V与PIC16C73A微控制器配合使用时,应在XT模式下0.5秒内开始振荡。为确保最佳性能,应遵循制造商的建议进行组件选择和电路布局。
Arizona Capacitors的金属管状电容器18J3-0.450R具有100/200V的电压等级,电容值高达1.000μF,工作温度范围为-55℃至125℃。它具有高绝缘电阻,符合MIL-STD-202标准,适用于恶劣环境,并提供多种电压模型选择。其机械构造采用纸箔和箔片,具有非感应式和扩展箔结构,尺寸参数包括直径0.172英寸和最大长度1.625英寸,可选绝缘护套厚度增加选项。此外,该电容器符合RoHS标准,可根据请求提供。
Connor-Winfield OH300-61005SV-096.0M VCOCXO 晶振是高性能晶振,输出频率 96MHz,具有优异的频率稳定性、低相位噪声和低抖动特性,适用于多种应用。
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