CWX8xx系列固定频率晶体控制振荡器采用5.0x7.0mm表面贴装封装,适用于高频率稳定性和低抖动应用,工作电压为3.3V或5.0V,频率稳定性为±25ppm或±50ppm,温度范围为-20至70°C,频率范围为1.0至156.25MHz,负载电容为15pF(LVCMOS)或50pF(HCMOS),存储温度为-55至125°C,采用密封陶瓷封装,符合RoHS标准的无铅焊接。
IRLML6401TRPBF是一款由英飞凌科技推出的12V单P沟道功率MOSFET,采用SOT-23封装,专为低功耗和低频率应用设计,具备宽广的安全工作区域、行业标准认证、低频应用中的高性能等特点,适用于DC开关、负载开关等应用,技术规格包括最大漏极电流-4.3A、导通电阻最大50mΩ等,非常适合电源管理、电机控制和电池供电设备。
Ampleon C5H3438N110D是一款110W GaN Doherty射频功率晶体管,专为3400 MHz至3800 MHz频率范围内的基站应用设计。其特点包括紧凑的8 mm x 8 mm QFN封装、5G mMIMO优化、高效率Doherty配置、宽带操作、内部匹配设计以及优秀的数字预失真能力。适用于多载波应用,提供高带宽和高数据速率,技术参数包括110W名义输出功率、48V漏源电压、13.6至15 dB功率增益和55%至62%的漏极效率。
Vishay CBA系列MOS电容器有两种总电容版本,电容以二进制增量在0.25 pF - 15 pF间配置,提供多种选择。该电容器可线焊,采用特定介质和基板,尺寸小,用于微波电路混合封装。其电气规格涵盖工作电压、损耗因数、Q值、温度系数和工作温度范围等。
Broadcom PEX88048是一款高性能PCIe Gen 4.0交换机,具备50个通道和端口,支持高速数据传输、低延迟和灵活的fabric拓扑结构,特别适合数据中心和云服务提供商。它具备嵌入式ARM CPU、ExpressFabric架构、48个DMA通道、消除PCIe拓扑限制、专为NVMe AFA系统设计、生命周期活跃功能、双管理端口、低功耗SerDes等特性,旨在构建高性能、低延迟、可扩展的PCIe fabrics。
QTCV356系列VCXOs(压控晶体振荡器)是一款集成了5Vdc或3.3Vdc时钟方波发生器和微型条形AT石英晶体的低高度陶瓷封装振荡器,适用于低电压应用。其主要特性包括宽频率范围(1.000MHz到156.250MHz)、小尺寸(3.2 x 5mm)、支持HCMOS、LVHCMOS、LVPECL逻辑类型、5.0Vdc或3.3Vdc供电电压、-40ºC到+85ºC的工作温度范围、Tri-State输出、密封陶瓷封装、基本和第三泛音设计、符合MIL-PRF-55310标准的军事级筛选测试,以及无铅和RoHS合规。该系列产品广泛应用于枪械发射弹药和系统、智能弹药、仪器仪表、以太网/同步、SONET、微处理器时钟等领域。
Delta的HCME1012(F)系列电感器在电子设计中发挥关键作用,适用于电源管理、信号过滤等领域。该系列提供70 nH至330 nH的电感值,低直流电阻(33 mΩ)、高饱和电流(178 A),工作温度范围宽(-40℃至125℃),精度±10%至±15%。其紧凑尺寸(10.0x6.0~6.2x12.0mm)和严格的质量控制确保了在多种应用中的高效率和可靠性。
Bliley的BOCSE系列非PLL晶体振荡器稳定性和精确度高,符合高端市场需求,适用于军事、仪器仪表等多领域。它采用2.5x2.0mm封装,符合军用标准,频率1.5 - 170MHz,温度稳定性±25 - ±100ppm,电源电压多样,工作温宽(-55°C - +125°C)。具有响应快、输出稳、相位噪声和抖动低等性能,通过多项测试且包装安全。
LS94和SST94是Linear Systems公司生产的单通道P沟道JFET开关,专为超低噪声音频/声学应用设计,可直接替代Toshiba 2SJ94。它们具有高跨导(22 mS)、高输入阻抗(1 nA)、低电容(32 pF)和多种封装形式(TO-92、SOT-89、裸片)。电气特性包括栅极到漏极击穿电压25V、栅极到源极开启电压0.15V至2V、漏源饱和电流-30 μA至-2.6 mA等。这些特性使得LS94和SST94成为高增益放大应用中的理想选择,尤其在高输入阻抗和低噪声需求场合。
iNRCORE X-1620NL是一款专为恶劣环境设计的小尺寸信号隔离表面贴装变压器,具备高隔离电压(至少3kVrms)、宽工作温度范围(-55°C至+125°C)、耐用材料(锡/铅结构)和湿度敏感性等级3级。其电气规格包括匝比1CT:1CT(±2%精度)、初级电感至少1mH、最大0.8Ω直流电阻、最大1.2mH漏感、最大25pF绕组间电容和最大10pF初级电容。物理特性为1.16g重量和10.03 × 8.89 × 6.85mm尺寸,适合空间受限的应用。该变压器在高温、湿度和高电压隔离方面表现卓越,适用于工业控制、汽车电子和通信设备等高环境适应能力需求场景。
Ampleon的ART1K6PH LDMOS射频功率晶体管是一款专为工业、科学和医疗(ISM)应用、广播和通信市场设计的1600W高功率器件,频率范围覆盖1MHz至450MHz。其核心特性包括高击穿电压、宽带操作、简易功率控制、集成ESD保护以及高效率与热稳定性,适用于等离子体发生器、MRI系统、粒子加速器、FM无线电、VHF电视、非蜂窝通信和UHF雷达系统等多种应用。技术参数显示其在高功率输出下具有优异的功率增益和漏极效率,封装形式为OMP-1230-4F-1,支持回流/波峰焊接。
Statek公司的SWCX4V和SWCX4晶体专为抗辐射应用设计,采用高温电扫工艺的培养石英,能耐受超过100 krad的辐射剂量,保持频率稳定。特点包括高冲击电阻、超高可靠性、客户定制设计、低老化率、严格的无尘室生产工艺,适用于军用和航天级应用,如卫星系统、太空探索任务和深空探测器。
Connor-Winfield 93600-xxxx系列是一款5.0 x 3.2mm高频基频表面贴装晶体,专为高频VCXO设计,适用于大规模生产。其特点包括温度稳定性±25ppm,工作温度范围-40至85°C,中心频率70-300 MHz,并联电容5.0 pF,动态电容4.0 fF,等效串联电阻25 Ohm,负载电容20 pF,驱动电平100 μW,符合RoHS标准。
Interpoint® FMCE-1528 EMI滤波器专为降低高频DC-DC转换器的输入纹波电流设计,符合军用标准MIL-STD-461C/D/E/F。它在紧凑封装中提供高达15A的电流,工作温度范围为-55°C至+125°C,输入电压范围为0.5至50V,能有效减少500 kHz和1 MHz时的噪声,典型衰减达70 dB。
BFP196WH6327XTSA1是一款低噪声硅射频(RF)晶体管,适用于高频率和低噪声放大应用,如无线通信、射频前端和多种通信设备。其关键特性包括集电极电流范围20-80mA、频率高达1.5GHz、低噪声和低失真、无铅环保、AEC-Q101认证等。参数如最大增益19dB、最大集电极电流150mA、最小噪声系数1.3dB、封装SOT343等,使其特别适合高线性和高效率的射频放大器设计。
Solitron公司的硅碳化物(SiC)半导体功率模块,用于提升电源应用多方面性能。有多种关键特性,产品系列多样,包括半桥、全桥和PowerMOD系列,应用于开关模式电源、逆变器、电池充电器、执行器和电机控制等领域。
Solitron公司是一家拥有50多年历史的领先双极型功率晶体管制造商,产品覆盖40V至700V的电压范围,包括N沟道和P沟道类型,符合JAN/JANTX/JANTXV标准,并提供S级等效筛选服务和定制封装配置。适用于电源管理、电机控制、音频放大器等多种电子应用,封装选项包括TO-3、TO-5、TO-39、TO-66、TO-111(带引脚)、TO-254、TO-257和TO-258等,以及定制化的有引线或无引线的表面贴装封装。
Lattice的ispMACH 4000ZE系列是一款1.8V在系统可编程超低功耗可编程逻辑器件(CPLD),专为功耗敏感的消费类电子应用设计。该系列具备高性能(最大工作频率260MHz,传播延迟4.4ns)、易用性(灵活的宏单元和全局控制)、超低功耗(待机电流10µA)和广泛的设备选择(宏单元数量32至256)。此外,它支持多种I/O电压、热插拔、可编程输出斜率,并符合IEEE 1149.1和1532标准,适用于系统集成和自动化测试。
Vanguard Electronics的SM1553系列数据总线脉冲变压器是为军事和航空领域设计的高可靠性组件,符合MIL-STD-1553标准,具备优异的电气性能和环境适应性。这些变压器采用紧凑的低轮廓设计,支持自动贴装,提供多种变比选项,并具有耐湿、耐震和耐浸水的特性,能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内稳定工作。SM1553系列还提供定制设计服务,以满足特定应用需求,确保在严苛环境中的长期稳定运行。
Vishay BRCP系列薄膜条形MOS电容器采用坚固MOS结构,具有低介电损耗和高Q值,支持多种线焊点,A型外壳最少7个焊点,B型外壳最少15个焊点,且负载寿命稳定性出色。其关键优势包括绝对容差低至±5%,温度系数低至±50ppm/°C。应用领域广泛,包括混合组装、滤波器、射频阻断、阻抗匹配和高频/高功率应用。电气规格涵盖电容范围5-100pF,工作温度-55至+150°C,最大工作电压100V。机械规格方面,芯片基板为硅,介质为二氧化硅,顶部覆盖层为至少1微米厚的金,外壳尺寸和焊盘数量符合特定要求。
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