DEI 1030的设计目的是改善单位之间的照明总线监测。总线电压转换成为0-5vdc数据信号电平输出,可用作操纵白炽灯的仿真模拟驱动器或输入微处理器实现脉冲宽度调制。或提供操纵输入到DEI1090LED驱动器,用LED仿真模拟白炽灯。
电压比较器(简称为比较器)的功能模块是相对比较两个电流电压的大小(输出电压的高电平或低电平用作表明两个输入电流电压的大小关系)。电压比较器能够用在集成化运算放大器的组成中,还能够用专用型的集成化电压比较器。TI德州仪器高电压比较器具备0.9V到36V的高压比较器,响应时间快,性能强。
DATAEL 提供很多数模转换器产物作为规范微电路图 (SMD) 模子,受国防后勤局 (DLA) 监视。DATAL 已成为 SMD 提供商跨越三年。DATAEL 的产物通过国防部产物认证决策接续到达划定的机能、品质和可靠性程度。这些 SMD 产物已被证明是满足行业非常具搦战性的使用请求的靠得住办理计划。
IR HiRel为客户供应局限宽泛的包含晶闸管和二极管的电源模块,电压局限为 1200 V 至 4400 V,电流为 61 A 至 1070 A。这些模块接纳高可靠压力触碰和焊接技术计划和组装它满足了成本和机能优化应用的特定请求。
线路接收器能够包含:缓冲器,适用于在第一时间段中接收模拟信号并按照所接收的模拟信号向负载提供输出数据信号,这其中所述缓冲器包含不少于两个晶体管;耦合电路在所述不少于两个晶体管的栅极之间的电容元器件,适用于在第一时间段内向型所述不少于两个晶体管的栅极提供DC数据信号;及其适用于在第二时间段内将电容器元器件耦合电路到直流参考电压的电源开关。
Q-Tech高可靠性空间 TCXO是一种对晶体振荡器的晶体频率和温度特性进行补偿以满足宽温度范围内稳定性要求的晶体振荡器,一般的模拟温度补偿晶体振荡器采用热补偿网络,补偿后的频率稳定性在10-7≤10-6量级。由于其良好的启动特性、优越的性价比、低功耗、体积小、环境适应性强等优点,被广泛应用。
Renesas仪表放大器(in-amps)和可编程增益仪表放大器(PGIA)中提供了诸多工业生产、检测和精确测量、数据采集系统和医疗服务应用领域所需要的精密度和高性能。
根据NVIDIA和AMD宣布的技术路线图,GPU将于2018年进入12 nm/7nm工艺。目前,AI、与采矿机相关的FPGA和ASIC芯片也在使用10~28 nm的先进工艺。国内制造商已经出现了寒武纪、深鉴科技、地平线、比特大陆等优秀的乐动平台设计制造商以实现突破,而制造主要依靠台积电和其他先进工艺合同制造商。
MICRON DDR3 SDRAM提供比以往的DDR和DDR2SDRAM更多的带宽。除了优良的性能指标外,MICRON DDR3还具备较低的工作电压范围。其结果可能是在消耗相同或更少的系统功率的同时,具有更高的带宽。
DEI为28VDC航空电子产品设备仪器和工业电源系统总线提供电压浪涌保护器。按照RTCADO160,Z类:异常浪涌电压(DC)技术水平,它能够保障机器设备免遭电压浪涌。欠压锁定功能模块确保仅在最低标准安全可靠工作电压技术水平下可以使用。
TI德州仪器低功耗比较器提供了全系列的低功耗比较器产品,根据使用低功耗比较器能够提高电池寿命。
DATAEL提供诸多模拟到数字转换器企业产品,用作标准规定微电路图(SMD)模型工具,由国防安全物流局(DLA)监督。DATAL已成为SMD供应商超过三年。DATAEL企业产品根据国防部产品质量认证工程项目继续实现规定的性能指标、质量和安全可靠性技术水平。DATAELSMD企业产品已被证明是满足行业内最具挑战性的技术应用规定的安全可靠解决方案。
IR HiRel是世界上第一家碳化硅(SiC)分立电源供应商。长期性的市场份额和经验使IR HiRel能够提供高度安全可靠和行业内领先的SiC性能指标。碳化硅和硅在原材料性能指标上的差异性限制了实际硅单极子二极管(肖特基二极管)的制造,其导通电阻和漏电流高达100v到150v。在SiC原材料中,肖特基二极管能够获取更高的击穿电压。IR HiRel的碳化硅(SiC)产品组合包含600V和650V至1200V肖特基二极管。
并行接口指的是选用并行传输方式数据传输的标准接口。从最简单的并行数据存储器或ASIC芯片,如8255、6820,到更错综复杂的SCSI或IDE并行接口,有几十种。
Q-Tech QPL晶体振荡器是体现晶体或振荡器能否符合非常性能卓越规定要求的检测标准之一。将其运用于国防装备和军事产品的零部件,以符合这一标准是必不可少的。
Renesas电子电流量检测放大器集成了外部结构元器件(即增益设置电阻器)以简单化设计构思并提供模拟电流电压输入输出。
通信基站对国外芯片的依赖程度很高,其中大部分是美国芯片公司。目前,基站系统主要由基带处理单元(BBU)和射频遥控单元(RRU)组成。通常,一个BBU对应多个RRU。相比之下,RRU芯片国产化程度低,对外依存度高,主要困难在于RRU芯片涉及大功率射频场景,通常是GaAs或Gan材料,而中国大陆则缺乏相应的产业链。
MICRON DDR4内存是全新一代的存储空间标准规范。2011年1月4日,三星电子完成了其在历史上第一款DDR4存储空间,MICRON DDR4和DDR3有三大区别:16位预取机制(DDR3为8位),在同样内核频率下,理论研究速度是DDR3的两倍;传输数据标准规范更加安全可靠,数据安全可靠性进一步提升,工作中电压降为1.2V,更环保节能。
DEI产品能够提供满足DO160标准规定的浪涌保护系统零部件。DEI的所有的ARINC429组件和大部分离散到数字转换器都具备此保护功能模块。
比较器是一款较为常见的电子电路,如高速比较器。TI德州仪器高速比较器指的是比较器的响应速度和处理速度,高速比较速度能够实现纳秒级。TI德州仪器高速比较器用作比较两个输入数据信息,输出是二进制信号数据信息。
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