Broadcom BCM85657：高性能PCIe Gen5和CXL 2.0重定时器解决方案

2024-07-30 09:18:13

Broadcom BCM85657 是一款高性能的 PCIe Gen5 和 CXL 2.0 重定时器，支持高达 32 GT/s 的数据速率，兼容多种 PCIe 和 CXL 版本，适用于数据中心和企业级计算。

O08-T-25000X-C-D-B-3-R-X时钟振荡器PDI

2024-07-30 09:15:45

PDI O08系列时钟振荡器，尺寸13x13x5.6毫米，DIP8封装，频率0.03至200 MHz，支持TTL/CMOS等多种输出，频率稳定性±25至100 ppm，工作温度0至+125°C，供电电压1.8至5.0V，适用于原型及大规模生产。

Infineon英飞凌IRF3205PBF单N沟道功率MOSFET

2024-07-30 09:10:16

IRF3205PBF是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装，耐压55V，适用于直流电机、逆变器等应用。具有高电流能力（110A），低导通电阻（8 mΩ），工作温度范围广（-55°C至175°C），符合JEDEC标准，易于替换。

Lattice LFE2M35E-7FN484C现场可编程门阵列FPGA

2024-07-30 09:07:20

Lattice LFE2M35E-7FN484C是一款90nm工艺的FPGA，具备303个I/O、34000个LUT和32个乘法器，适用于数据通信和工业自动化等高性能应用。

R5F12068MSP#30通用MCU微控制器Renesas

2024-07-29 09:33:40

R5F12068MSP#30是Renesas的RL78/G15系列低功耗微控制器，支持2.4至5.5V电压，具备4至8KB闪存和1KB RAM，操作频率达20MHz，适用于家电和便携设备。

Holt HI-1565和HI-1566低功耗CMOS双收发器

2024-07-29 09:29:45

Holt HI-1565 和 HI-1566 是低功耗 CMOS 双收发器，符合 MIL-STD-1553/1760 规范，具有卓越的 ESD 性能和灵活的控制选项。适用于 MIL-STD-1553 接口、智能弹药等应用。

MTI-milliren 221系列OCXO

2024-07-29 09:25:30

MTI-milliren 221系列OCXO是一款高性能表面贴装振荡器，专为低功耗和空间受限应用设计。尺寸紧凑，符合Stratum III和IIIe标准，热稳定性高，相位噪声性能优异，支持定制频率、稳定性和温度范围，适用于多种通信和精密计时应用。

105883AK-1反激式变压器VANGUARD ELECTRONICS

2024-07-26 09:15:31

105883AK-1反激式变压器，由VANGUARD ELECTRONICS生产，适用于反激式转换应用。特点包括：电感3.30uH±5%，漏感0.5uH，直流电阻6mOHMS，绝缘电压1000VAC，尺寸0.8×0.65×0.5英寸，重量约10克，适用于商业级以上环境。

Solitron 2N4859/2N4860/2N4861 N沟道JFETS

2024-07-26 09:11:40

Solitron 2N4859、2N4860和2N4861是N沟道JFET，符合军用标准，具有低导通电阻、快速开关和高隔离性能。支持耐辐射和多种温度范围。

ARIZONA Capacitors W90523PVC管状电容器

2024-07-25 09:11:21

ARIZONA Capacitors W90523PVC管状电容器，电压3kV至250kV DC，电容最大2.000 μf，公差±10%，绝缘电阻25-50k ΩF，耗散因数<0.6%，多种外壳材料，操作温度-55°C至125°C，符合ISO 9001:2015和MIL-STD-202标准。

FMCE-0528 EMI滤波器Interpoint

2024-07-25 09:02:50

Interpoint的FMCE-0528 EMI滤波器专为28V应用设计，符合MIL-STD-461标准，适用于军事和航空航天领域。它支持5A电流，500kHz时衰减60dB，工作温度范围-55°C至+125°C，并具有低直流电阻和小尺寸封装特点。此外，它与Interpoint的多个DC/DC转换器系列兼容，能有效减少输入纹波电流。

Bliley BOVSP-XXXMXX-XXXX OCXO

2024-07-24 09:06:32

Bliley Technologies的BOVSP-XXXMXX-XXXX OCXO是一款高精度恒温晶体振荡器，适用于高稳定性和高精度应用。其频率范围为5.00至100 MHz，具有优异的频率老化和相位噪声性能。该产品支持宽工作温度范围（-40°C至+85°C），适用于高频控制、微波应用和紧密时序控制等领域。

Linear Systems 3N163/3N164 P沟道MOSFET

2024-07-23 09:02:08

Linear Systems 3N163和3N164是高性能p沟道MOSFET，具有高输入阻抗、高栅极击穿电压、快速切换和低电容特性，适用于电子电路。提供TO-72和SOT-143封装。

QTCH500HCD9M-20.000MHz高温晶振Q-Tech

2024-07-23 08:56:23

QTCH500HCD9M-20.000MHz高温晶振由Q-Tech公司生产，是一款高精度石英晶体振荡器，采用双列直插(DIP)形式，封装在DIP-8配置的金属通孔封装中。频率范围从1MHz到48MHz，供电电压从1.8Vdc到5.0Vdc，该晶振适用于广泛的军用时钟应用，包括智能弹药、导航、工业控制、微控制器驱动程序以及井下温度可达+200ºC的环境。

VY1222M47Y5UQ6TV0陶瓷圆片电容器VISHAY

2024-07-22 10:22:18

VY1222M47Y5UQ6TV0是一款由VISHAY生产的高频陶瓷圆片电容器，电容值0.0022uF，公差±20%，采用径向端接，引线直径0.6毫米，间距10毫米。设计由两面镀银的陶瓷盘组成，连接引线为镀锡铜包钢，封装为阻燃环氧树脂，符合UL 94 V-o标准。符合IEC 60384-14标准，适用于X1和Y1类安全电容器，主要用于行对行滤波、线路对地滤波、主辅耦合、EMI/RFI抑制和滤波等。

Solitron SD11720 N沟道功率MOSFET

2024-07-22 10:19:25

SD11720是一款SiC N沟道功率MOSFET，由Solitron Devices, Inc.推出，专为高效率和可靠性的功率电子应用设计。采用先进的碳化硅技术，提供卓越的电气和热性能，适用于工业和能源应用。主要特点包括58A漏极电流、50mΩ导通状态电阻和TO-247-3塑料封装。优势包括低导通电阻的高阻断电压、低电容的高速开关、高工作结温能力（高达175°C）和较强的内置体二极管性能。应用领域包括太阳能逆变器、不间断电源、电机驱动器、高电压直流/直流转换器和开关模式电源。SD11720的高性能和广泛应用使其成为功率电子领域的关键组件，满足现代系统对高效率和高可靠性的要求。

PmT-NSN-225-400MHz UHF放大器Princeton Microwave

2024-07-22 10:15:45

PmT-NSN-225-400MHz UHF放大器是一款高性能放大器，专为225-400MHz频率范围设计，适用于无线通信和雷达系统。主要特点包括低噪声系数、密封模块设计、宽带性能、优异的单位可重复性和宽工作温度范围（-50°C到100°C）。典型电气规格包括225-400 MHz频率、+28.0V集电极供电、+5.1 V偏置供电、1.0Amp集电极供电电流、30-42 dB功率增益、<7dB增益变化、> +34 dBm 1 dB增益压缩、>87 %上调制、<-80 dBc杂散、3:1 Max输入VSWR、-25°C到70°C工作温度和-55°C到125°C存储温度。应用领域包括无线通信系统、雷达系统、卫星通信、广播电视等，其优异性能和可靠性使其成为这些应用中的理想选择。

BLP05H6350XRG功率晶体管Ampleon

2024-07-22 09:59:15

Ampleon的BLP05H6350XRG是一款高性能LDMOS功率晶体管，专为HF至600 MHz频段的广播和工业应用设计，具有350瓦标称输出功率。特点包括轻松电源控制、集成ESD保护、出色坚固性、高效率（75%漏极效率）、优异热稳定性、宽带工作设计，并符合RoHS指令。应用领域包括工业、科学和医疗设备，以及广播发射机。技术规格包括10600 MHz频率范围、350 W P1dB、脉冲射频测试信号、26.5至27.5 dB功率增益、-10 dB输入回波损耗和71至75%漏极效率。

RO4360电路板材料Rogers

2024-07-18 09:24:59

Rogers的RO4360™高频层压板专为高频放大器设计，具有优异的6.15介电常数和0.003损耗因子，采用陶瓷填充和玻璃纤维增强，符合环保标准，兼容标准PCB加工，具有280ºC高Tg和30 PPM/ºC低CTE，确保多层电路可靠性。适用于高频应用如功率放大器和贴片天线，支持无铅工艺，为特定设计需求提供解决方案。

CY62128ELL-45SXIT SRAM芯片CYPRESS

2024-07-18 09:21:17

CY62128ELL-45SXIT 是 Cypress 公司生产的高性能 CMOS 静态随机存取存储器(SRAM)芯片，具有45 ns访问速度，工作温度范围为-40 °C 至 +85 °C（工业级）和-40 °C 至 +125 °C（汽车级E），电压供应为4.5 V 至 5.5 V，与CY62128B系列芯片引脚兼容，低功耗（待机电流典型值1 µA，工作电流典型值1.3 mA），支持存储扩展和自动断电，采用CMOS工艺和环保封装。该芯片组织为128K字×8位，适用于便携式设备、工业控制系统、汽车电子和通信设备等应用。