Holt HI-1565 和 HI-1566 是低功耗 CMOS 双收发器,符合 MIL-STD-1553/1760 规范,具有卓越的 ESD 性能和灵活的控制选项。适用于 MIL-STD-1553 接口、智能弹药等应用。
MTI-milliren 221系列OCXO是一款高性能表面贴装振荡器,专为低功耗和空间受限应用设计。尺寸紧凑,符合Stratum III和IIIe标准,热稳定性高,相位噪声性能优异,支持定制频率、稳定性和温度范围,适用于多种通信和精密计时应用。
105883AK-1反激式变压器,由VANGUARD ELECTRONICS生产,适用于反激式转换应用。特点包括:电感3.30uH±5%,漏感0.5uH,直流电阻6mOHMS,绝缘电压1000VAC,尺寸0.8×0.65×0.5英寸,重量约10克,适用于商业级以上环境。
Solitron 2N4859、2N4860和2N4861是N沟道JFET,符合军用标准,具有低导通电阻、快速开关和高隔离性能。支持耐辐射和多种温度范围。
ARIZONA Capacitors W90523PVC管状电容器,电压3kV至250kV DC,电容最大2.000 μf,公差±10%,绝缘电阻25-50k ΩF,耗散因数<0.6%,多种外壳材料,操作温度-55°C至125°C,符合ISO 9001:2015和MIL-STD-202标准。
Interpoint的FMCE-0528 EMI滤波器专为28V应用设计,符合MIL-STD-461标准,适用于军事和航空航天领域。它支持5A电流,500kHz时衰减60dB,工作温度范围-55°C至+125°C,并具有低直流电阻和小尺寸封装特点。此外,它与Interpoint的多个DC/DC转换器系列兼容,能有效减少输入纹波电流。
Bliley Technologies的BOVSP-XXXMXX-XXXX OCXO是一款高精度恒温晶体振荡器,适用于高稳定性和高精度应用。其频率范围为5.00至100 MHz,具有优异的频率老化和相位噪声性能。该产品支持宽工作温度范围(-40°C至+85°C),适用于高频控制、微波应用和紧密时序控制等领域。
Linear Systems 3N163和3N164是高性能p沟道MOSFET,具有高输入阻抗、高栅极击穿电压、快速切换和低电容特性,适用于电子电路。提供TO-72和SOT-143封装。
QTCH500HCD9M-20.000MHz高温晶振由Q-Tech公司生产,是一款高精度石英晶体振荡器,采用双列直插(DIP)形式,封装在DIP-8配置的金属通孔封装中。频率范围从1MHz到48MHz,供电电压从1.8Vdc到5.0Vdc,该晶振适用于广泛的军用时钟应用,包括智能弹药、导航、工业控制、微控制器驱动程序以及井下温度可达+200ºC的环境。
VY1222M47Y5UQ6TV0是一款由VISHAY生产的高频陶瓷圆片电容器,电容值0.0022uF,公差±20%,采用径向端接,引线直径0.6毫米,间距10毫米。设计由两面镀银的陶瓷盘组成,连接引线为镀锡铜包钢,封装为阻燃环氧树脂,符合UL 94 V-o标准。符合IEC 60384-14标准,适用于X1和Y1类安全电容器,主要用于行对行滤波、线路对地滤波、主辅耦合、EMI/RFI抑制和滤波等。
SD11720是一款SiC N沟道功率MOSFET,由Solitron Devices, Inc.推出,专为高效率和可靠性的功率电子应用设计。采用先进的碳化硅技术,提供卓越的电气和热性能,适用于工业和能源应用。主要特点包括58A漏极电流、50mΩ导通状态电阻和TO-247-3塑料封装。优势包括低导通电阻的高阻断电压、低电容的高速开关、高工作结温能力(高达175°C)和较强的内置体二极管性能。应用领域包括太阳能逆变器、不间断电源、电机驱动器、高电压直流/直流转换器和开关模式电源。SD11720的高性能和广泛应用使其成为功率电子领域的关键组件,满足现代系统对高效率和高可靠性的要求。
PmT-NSN-225-400MHz UHF放大器是一款高性能放大器,专为225-400MHz频率范围设计,适用于无线通信和雷达系统。主要特点包括低噪声系数、密封模块设计、宽带性能、优异的单位可重复性和宽工作温度范围(-50°C到100°C)。典型电气规格包括225-400 MHz频率、+28.0V集电极供电、+5.1 V偏置供电、1.0Amp集电极供电电流、30-42 dB功率增益、<7dB增益变化、> +34 dBm 1 dB增益压缩、>87 %上调制、<-80 dBc杂散、3:1 Max输入VSWR、-25°C到70°C工作温度和-55°C到125°C存储温度。应用领域包括无线通信系统、雷达系统、卫星通信、广播电视等,其优异性能和可靠性使其成为这些应用中的理想选择。
Ampleon的BLP05H6350XRG是一款高性能LDMOS功率晶体管,专为HF至600 MHz频段的广播和工业应用设计,具有350瓦标称输出功率。特点包括轻松电源控制、集成ESD保护、出色坚固性、高效率(75%漏极效率)、优异热稳定性、宽带工作设计,并符合RoHS指令。应用领域包括工业、科学和医疗设备,以及广播发射机。技术规格包括10600 MHz频率范围、350 W P1dB、脉冲射频测试信号、26.5至27.5 dB功率增益、-10 dB输入回波损耗和71至75%漏极效率。
Rogers的RO4360™高频层压板专为高频放大器设计,具有优异的6.15介电常数和0.003损耗因子,采用陶瓷填充和玻璃纤维增强,符合环保标准,兼容标准PCB加工,具有280ºC高Tg和30 PPM/ºC低CTE,确保多层电路可靠性。适用于高频应用如功率放大器和贴片天线,支持无铅工艺,为特定设计需求提供解决方案。
CY62128ELL-45SXIT 是 Cypress 公司生产的高性能 CMOS 静态随机存取存储器(SRAM)芯片,具有45 ns访问速度,工作温度范围为-40 °C 至 +85 °C(工业级)和-40 °C 至 +125 °C(汽车级E),电压供应为4.5 V 至 5.5 V,与CY62128B系列芯片引脚兼容,低功耗(待机电流典型值1 µA,工作电流典型值1.3 mA),支持存储扩展和自动断电,采用CMOS工艺和环保封装。该芯片组织为128K字×8位,适用于便携式设备、工业控制系统、汽车电子和通信设备等应用。
PMTA-0223-30-2是Princeton Microwave生产的低噪声放大器,专为2 GHz至20 GHz的高频应用设计。该放大器提供至少30 dB的增益,噪声系数为2.5 dB,具有50Ohm输入/输出匹配,工作温度范围为-50°C至+100°C(具体操作温度为-40°C至85°C)。电气规格包括增益平坦度±1.25 dB、输入/输出回波损耗-10 dB、输出功率至少16 dBm、操作直流电压12 Volts、电流100 mA,配备SMA Female射频接口和DC Connector直流接口。绝对最大额定值包括直流电压20 Volts、射频输入功率5 dBm、存储温度-55°C至150°C。
IPC100N04S5-1R2是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道增强型MOSFET,属于OptiMOS™ 5系列,专为汽车应用设计。该器件通过AEC-Q101认证,具有1.2 mΩ的低导通电阻和100 A的高连续漏极电流,适合高效率和高性能的汽车系统。产品参数包括40 V的漏源电压、100 A的连续漏极电流、400 A的脉冲漏极电流、480 mJ的单次脉冲雪崩能量、±20 V的栅源电压、150 W的功耗。
PL1374变压器iNRCORE是一款高可靠性表面贴装变压器,尺寸紧凑为7.62 × 7 × 6.35毫米,适用于空间受限的电子设备。它采用6-Pin封装和SMT安装方式,具有1CT:1CT的匝数比,最大直流电阻为800 mΩ,工作温度范围为-55°C至+125°C。表面处理为锡/铅(Sn63/Pb37),湿度敏感等级为3级,不符合RoHS标准,但具有军用航空级(Mil-Aero)等级。隔离电压为1500 VRMS,采用环氧树脂封装,适用于极端环境下的稳定性和可靠性要求高的应用。
LCMXO3L-4300C-5BG400I FPGA,由Lattice半导体生产,基于65纳米工艺,拥有4300个逻辑元件,92Kbit嵌入式存储和34个块RAM,支持335个用户I/O引脚和多种I/O电压,采用400引脚BGA封装,适用于工业温度范围,支持在系统可编程性和设计安全保护,是复杂应用的理想选择。
DATEL 5962-9057001HXC 12位DAC,具有3微秒稳定时间,适用于高精度数模转换,支持±5mA输出电流和多种输出电压范围,如±2.5V, 5V,±5V或0至+10V,DDIP封装,工作温度-55°C至+125°C,适用于精密控制系统、测试和测量设备等高要求应用。
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