IR HiRel GaN HEMT –氮化镓晶体管

发布时间:2021-02-22 17:15:14     浏览:966

IR-HiRel氮化镓(GaN)比硅具有根本的优势。特别是高临界电场使得GaN-HEMTs成为功率半导体器件的研究热点。与硅MOSFET相比,GaN-HEMTs具有优异的动态导通电阻和较小的电容,非常适合于高速开关。IR-HiRel不仅节省了功率,降低了系统的整体成本,而且允许更高的工作频率,提高了功率密度和系统的整体效率。

IR-HiRel GaN功率晶体管最重要的特性是其反向恢复性能。因为IR HiReCoolGaN™ 晶体管没有少数载流子和体二极管,所以它们没有反向恢复。

使用

IR-HiRel系列在许多应用中给各种系统带来了可观的价值。这些e-mode HEMTs针对服务器和消费类工业应用,具有市场上最强大和性能概念,例如服务器、数据通信、电信、适配器/充电器、无线充电和音频。

在高功率应用中使用IR-HiRelCoolGaN™ 服务器电源和电信应用程序可以节省成本并增加每个机架的电源。由于其硬开关功能,它还允许更简单的控制方案和提高效率相比,下一个最好的硅替代品。

GaN技术在适配器和充电器电源方面的突破是功率密度小、重量轻、效率高的解决方案。用IR-HiRel实现CoolGaN 无线功率传输可以在更高的功率水平上实现高效率,实现E级设计中的最佳调节。

CoolGaN 400V设备D级音频最大限度地提高音频性能,提供卓越的音质。此外,几乎没有热设计限制,它非常易于使用,并与IR HiRelERU兼容™ D类音频放大器兼容。

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 IR HiRel.png

Product

Package name

Technology

VDS max [V]

RDS (on) max [Ω]

QG [C]

Mounting

OPN

ID  max [A]

IDpuls max [A]

ID  @25°C max [A]

IGT60R070D1

PG-HSOF-8

CoolGaN™

600

70

5.8

SMT

IGT60R070D1ATMA1

31

60

31

IGOT60R070D1

PG-DSO-20

CoolGaN™

600

70

5.8

SMT

IGOT60R070D1AUMA1

31

60

31

IGLD60R070D1

PG-LSON-8

CoolGaN™

600

70

5.8

SMT

IGLD60R070D1AUMA1

15

60

15

IGO60R070D1

PG-DSO-20

CoolGaN™

600

70

5.8

SMT

IGO60R070D1AUMA1

31

60

31

IGT40R070D1 E8220

PG-HSOF-8

CoolGaN™

400

70

4.5

SMT

IGT40R070D1E8220ATMA1

31

60

31

IGLD60R190D1

PG-LSON-8

CoolGaN™

600

190

3.2

SMT

IGLD60R190D1AUMA1

10

23

10

IGT60R190D1S

PG-HSOF-8

CoolGaN™

600

190

3.2

SMT

IGT60R190D1SATMA1

12.5

23

12.5


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