ADI晶圆各种材料工艺对应输出功率及频率

发布时间：2021-05-21 17:09:32 浏览：996

在电子器件中，射频和功率应用是主要的。GaN on SiC、GaN自支撑衬底、GaAs衬底、GaAs on Si主要用于射频半导体(射频前端PA等)，而Gan on Si和SiC衬底主要用于功率半导体(汽车电子学等)。

由于其高功率密度，GaN在基站大功率器件领域具有独特的优势。与硅衬底相比，SiC衬底具有更好的导热特性。目前，工业上95%以上的GaN射频器件使用SiC衬底，如Qorvo是基于SiC衬底的，硅基GaN器件可以在8英寸的晶片上制作，具有更高的成本优势。在功率半导体领域中，SiC衬底与GaN on Silicon的竞争仅占该领域的一小部分。GaN市场主要集中在低压领域，而SiC主要用于高压领域。他们的边界约为600 V。

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