MICRON DDR3 SDRAM

发布时间:2021-06-22 17:11:18     浏览:887

MICRON DDR3 SDRAM提供比以往DDRDDR2SDRAM更多的带宽。除了优良的性能指标外,MICRON DDR3具备较低的工作电压范围。其结果可能是在消耗相同或更少的系统功率的同时,具有更高的带宽。

特征

宽度:x8, x16

电压:1.35V1.5V

封装:FBGA

时钟频率:933 MHz1066 MHz

操作温度:0+95-40C+95-40+105-40+125

乐动体育投注官网,以库存MICRON高可靠性内存颗粒芯片和工业级内存条为特色产品优势。欢迎咨询合作。

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 MICRON.png

零件号

MT41J128M16JT-093

密度2Gb

深度128Mb

宽度x16

电压1.5V

操作温度0℃+95℃

 

MT41J128M16JT-107G

密度2Gb

深度128Mb

宽度x16

电压1.5V

操作温度0℃+95℃

 

MT41J128M16JT-125

密度2Gb

深度128Mb

宽度x16

电压1.5V

操作温度0℃+95℃

 

MT41J256M8DA-125

密度2Gb

深度256Mb

宽度x8

电压1.5V

操作温度0℃+95℃

 

MT41J64M16TW-093

密度1Gb

深度64Mb

宽度x16

电压1.5V

操作温度0℃+95℃

 

MT41K128M16JT-107

密度2Gb

深度128Mb

宽度x16

电压1.35V

操作温度0℃+95℃

 

MT41K128M16JT-107 AAT

密度2Gb

深度128Mb

宽度x16

电压1.35V

操作温度-40  +105

 

MT41K128M16JT-107 IT

密度2Gb

深度128Mb

宽度x16

电压1.35V

操作温度-40  +95

 

MT41K128M16JT-125

密度2Gb

深度128Mb

宽度x16

电压1.35V

操作温度0℃+95℃

 

MT41K128M16JT-125 AAT

密度2Gb

深度128Mb

宽度x16

电压1.35V

操作温度-40  +105

 

MT41K128M16JT-125 AIT

密度2Gb

深度128Mb

宽度x16

电压1.35V

操作温度-40  +95

 

MT41K128M16JT-125 AUT

密度2Gb

深度128Mb

宽度x16

电压1.35V

操作温度-40  +125

 

MT41K128M16JT-125 IT

密度2Gb

深度128Mb

宽度x16

电压1.35V

操作温度-40  +95

 

MT41K128M16JT-125 M

密度2Gb

深度128Mb

宽度x16

电压1.35V

操作温度0℃+95℃

 

MT41K128M16JT-125 XIT

密度2Gb

深度128Mb

宽度x16

电压1.35V

操作温度-40  +95

 

MT41K128M8DA-107

密度1Gb

深度128Mb

宽度x8

电压1.35V

操作温度0℃+95℃

 

MT41K128M8DA-107 IT

密度1Gb

深度128Mb

宽度x8

电压1.35V

操作温度-40  +95

 

MT41K1G8SN-107

密度8Gb

深度1Gb

宽度x8

电压1.35V

操作温度0℃+95℃

 

MT41K1G8SN-125

密度8Gb

深度1Gb

宽度x8

电压1.35V

操作温度0℃+95℃

 

MT41K256M16TW-093

密度4GB

深度256Mb

宽度x16

电压1.35V

操作温度0℃+95℃

 

MT41K256M16TW-107

密度4GB

深度256Mb

宽度x16

电压1.35V

操作温度0℃+95℃

 

MT41K256M16TW-107 AAT

密度4GB

深度256Mb

宽度x16

电压1.35V

操作温度-40  +105

 

MT41K256M16TW-107 AIT

密度4GB

深度256Mb

宽度x16

电压1.35V

操作温度-40  +95

 

MT41K256M16TW-107 AUT

密度4GB

深度256Mb

宽度x16

电压1.35V

操作温度-40  +125

 

MT41K256M16TW-107 IT

密度4GB

深度256Mb

宽度x16

电压1.35V

操作温度-40  +95

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