电压（内核和 I/O）

 1.8V

 1.5V

 降低内存系统电源需求

 标准低压选项

 不

 是 (1.35V)

 提供与 1.5V 标准 DDR3 匹配的低电压 DDR2

 密度（生产）

 256Mb 至 4Gb

 1Gb 至 4Gb

 高密度组件以更少的芯片数量实现大内存子系统

 预取（MIN WRITE 突发）

 4 位

 8 位

 降低核心速度依赖性以提高产量

 t CK - DLL 已启用

 125 兆赫至 400 兆赫

 300 兆赫至 800 兆赫

 支持更高的数据速率

 数据速率（每针 MT/s）

 533、667、800 Mb/s

 800,1066,1333,1600 Mb/s

 迁移到更高的数据带宽

 突发长度 (BL)

 BL4、BL8

 BC4、BL8

 BC4 减轻了一些“BL8”要求

 突发类型

 固定，通过 LMR

 (1) 固定，通过 MRS
 (2) OTF，“即时”

 OTF 允许在没有 MRS 命令的情况下在 BC4 和 BL8 之间切换

 数据选通

 差分或单端

 仅差速器

 通过减少选通串扰提高系统时序裕度

 ODT（芯片端接）

 R TT : 50, 75, 150 欧姆

 R T T : 20,30,40,60,120 欧姆

 更多 ODT 选项可提高信号保真度并支持更高的数据速率

 动态 ODT

 没有任何

 120, 60 欧姆

 改进了多个时隙中的信令；点对点应用中的引脚减少

 DQ 驱动器阻抗

 18 欧姆

 34 欧姆

 针对 2 插槽和点对点系统进行了优化

 驱动器/ODT 校准

 没有任何

 外接电阻

 提高电压和温度范围内的精度

 多用途寄存器 (MPR)

 没有任何

 四个寄存器 - 1 个定义 3 个 RFU

 支持读取校准

 写调平

 没有任何

 DQS 捕获 CK，DQ
驱出 CK 的状态

 校正模块使用的飞越布局

 模块

 240 针 SODIMM（无缓冲、寄存、全缓冲）
 200 针 SODIMM

 240 针 UDIMM；RDIMM、FBDIMM 待定；
 204 针 SODIMM

 改进的布局、更多的外形和供电设计；DDR3 也采用了 fly-by 架构

 芯片组支持

Legacy

 最新的

 较新的芯片组功能

 附加延迟

 是的

 是的

 具有 CAS 延迟的曲目