英飞凌IPW65R029CFD7 650V CoolMOS™ CFD7 SJ功率器件

发布时间：2023-12-28 10:52:52     浏览：485

英飞凌650 V CoolMOS CFD7 MOSFET IPW65R029CFD7扩展了 CFD7 系列的电压等级产品，是 650 V CoolMOS™™ CFD2 的后继产品。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这一新产品系列融合了快速开关技术的所有优势以及卓越的硬换向鲁棒性。

英飞凌采用 TO-247 封装的 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPW65R029CFD7非常适合工业应用中的谐振拓扑结构，例如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站，与竞争对手相比，它能够显著提高效率。作为CFD2 SJ MOSFET系列的后继产品，它具有更低的栅极电荷、改进的关断行为和更低的反向恢复电荷，可实现最高的效率和功率密度以及额外的50V击穿电压。

英飞凌IPW65R029CFD7 650V CoolMOS™ CFD7 SJ功率器件

功能概要

• 超快体二极管和极低的 Qrr

• 650V击穿电压

• 与竞争产品相比，开关损耗显著降低

• 最低的 RDS(on) 随温度变化的依赖性


好处

• 出色的硬换向坚固性

• 为总线电压增加的设计提供额外的安全裕度

• 提高功率密度

• 在工业SMPS应用中具有出色的轻载效率

• 提高工业SMPS应用中的满载效率

• 与市场上的替代产品相比，具有价格竞争力


应用

• 电动汽车快速充电

• 服务器电源

• 太阳能系统解决方案

• 电信基础设施

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