推荐资讯

• 
  BF998E6327HTSA1硅N沟道MOSFET射频放大器Infineon英飞凌 2024-07-01 09:26:24

  BF998E6327HTSA1是英飞凌硅N沟道MOSFET射频放大器，专为射频环境设计，适用于放大和切换电子信号。其最大功耗200 mW、工作温度范围-55 °C至150 °C、最大频率1000 MHz,应用领域包括机顶盒、电视和车载收音机。电气参数包括门输入电容2.1 pF、输出电容1.1 pF、正向跨导24 mS、功率增益20 dB @ 800 MHz、最大连续漏电流30 mA、最大漏源电压12 V、噪声系数1.80 dB @ 800 MHz、总功耗200 mW。封装类型为SOT143。

• 
  1000B-5001单双端口变压器模块iNRCORE 2024-04-23 09:31:40

  iNRCORE 1000B-5001变压器模块符合IEEE 802.3标准，具350μH电感、8mA最大直流偏置电流，工作温度-40°C至+85°C，存储温度-55°C至+125°C。封装为Epoxy Encapsulated Package，表面处理为Sn63/Pb37无铅。