英飞凌IRFS4227TRLPBF功率MOSFET PDP开关

发布时间：2024-04-01 10:15:36 浏览：312

Infineon英飞凌IRFS4227TRLPBF功率MOSFET，一款专为等离子显示面板(PDP)中的持续工作、能量回收及开关应用量身打造的卓越器件。它采纳了最新的处理技术，实现了每硅面积的超低导通电阻和低脉冲额定值，从而有效降低了功率损耗，提升了系统效率。

这款MOSFET的设计充分考虑了PDP应用的特殊性，其关键参数经过精心优化，以满足PDP维持、能量回收及开关应用中的高性能需求。同时，它具备低脉冲额定值，能够显著减少在PDP运行过程中的功率耗散，实现更为节能的运行模式。

英飞凌IRFS4227TRLPBF功率MOSFET

IRFS4227TRLPBF功率MOSFET的另一大亮点是其出色的热性能。它拥有高达175°C的工作结温，使得在高温环境下仍能保持稳定的工作状态，提升了器件的坚固性。此外，高重复峰值电流能力保证了器件在高负载条件下仍能可靠运行，进一步增强了其稳定性和可靠性。

在响应速度方面，这款MOSFET同样表现出色。它具备低QG和快速响应的特性，使得开关动作更为迅速，有效提升了系统的整体性能。同时，短下降和上升时间也确保了快速切换的实现，进一步提高了系统的动态响应能力。

特性：

先进工艺技术

关键参数优化PDP维持，能量回收和通过开关应用

低脉冲额定值，以减少功率耗散的PDP维持，能量回收和通过开关应用

低QG，快速响应

高重复峰值电流能力，可靠运行

短下降和上升时间快速切换

175°C工作结温，提高坚固性

鲁棒性和可靠性的重复雪崩能力

规格参数：

Parametrics	IRFS4227
Budgetary Price €/1k	1.57
ID (@25°C) max	62 A
Moisture Sensitivity Level	1
Mounting	SMD
Operating Temperature min max	-40 °C 175 °C
Ptot max	330 W
Package	D2PAK (TO-263)
Polarity	N
QG (typ @10V)	70 nC
Qgd	23 nC
RDS (on) (@10V) max	26 mΩ
RthJC max	0.45 K/W
Tj max	175 °C
VDS max	200 V
VGS(th) min max	4 V 3 V 5 V
VGS max	30 V

总的来说，IRFS4227TRLPBF功率MOSFET凭借其卓越的性能和稳定性，成为了PDP驱动应用中的高效、稳健和可靠的器件。无论是在持续工作、能量回收还是开关应用中，它都能发挥出优异的表现，为PDP系统的稳定运行提供有力保障。

深圳市乐动体育集团科技有限公司，优势分销Infineon英飞凌部分产品线，快速交付，欢迎联系。

上一篇: ADQDSU高性能SSD存储设备Teledyne SP Devices

下一篇: VISHAY ST系列湿式钽电容器