Infineon英飞凌IRHMS67260抗辐射功率MOSFET

发布时间:2024-04-10 09:53:17     浏览:317

  IRHMS67260是一款抗辐射的N沟道MOSFET,具有200V的额定电压和45A的电流容量。它采用单通道设计,并使用R6封装,特别是TO-254AA低电阻封装。该产品还具备100 krads (Si) TID QIRL的特性,显示了其出色的抗辐射能力。

Infineon英飞凌IRHMS67260抗辐射功率MOSFET

  特点:

  1. 低 RDS(on):具有低导通电阻。

  2. 快速切换:具有快速开关特性。

  3. 单粒子效应 (SEE) 强化:具有抵抗单粒子效应的能力。

  4. 总浇口电荷低:具有低输出电荷特性。

  5. 简单的驱动要求:需要简单的驱动电路。

  6. 密封的陶瓷孔眼:采用密封的陶瓷材料,具有优良的密封性和耐高温性。

  7. 电气隔离:具有电气隔离功能。

  8. 重量轻:整体重量较轻,适合对重量要求高的应用场景。

  9. 符合ESD等级标准:符合3A级的ESD等级,符合MIL-STD-750,方法1020标准。

  潜在应用包括DC-DC转换器、电力推进以及电机驱动等领域。这款产品适合在高辐射环境下使用,提供稳定可靠的性能。同时,产品的特性使其适用于需要快速开关和低输出电阻的应用场景。

  注意:随着技术的进步和市场的变化,Infineon英飞凌推出了性能更优的替代产品JANSR2N7584T1。具体可咨询乐动体育集团。

产品型号:

Part numberPackageScreening LevelTID Leve
IRHMS67260Low-OhmicTO-254AACOTS100 krad (Si)
JANSR2N7584T1Low-OhmicTO-254AAJANS100 krad (Si)
RHMS63260Low-OhmicT0-254AACOTS300 krad (Si)
JANSF2N7584T1Low-OhmicT0-254AAJANS300 krad (Si)

深圳市乐动体育集团科技有限公司,优势分销Infineon英飞凌部分产品线,快速交付,欢迎联系。

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