Infineon英飞凌JANSR2N7626UBN单P沟道抗辐射MOSFET
发布时间:2024-04-11 09:25:34 浏览:389
Infineon英飞凌JANSR2N7626UBN这款单P沟道MOSFET产品具备多种出色的特性和应用。它拥有抗辐射能力,能够承受高达100 krad(Si)TID的辐射水平。在电气性能上,该产品具有-60V的电压等级和-0.53A的输出电流。其采用单通道设计,同时提供P沟道功能,以及UB封装-UBN的封装形式。
此外,JANSR2N7626UBN还具有多种显著特性,如单粒子效应(SEE)强化、5V CMOS和TTL兼容性、快速切换能力、低总浇口电荷、简单的驱动要求以及密封设计。它采用表面贴装方式,具有重量轻的优点,并且提供了互补的N沟道型号,如IRHLUB770Z4、IRHLUBN770Z4、IRHLUBC770Z4和IRHLUBCN770Z4。此外,该产品还具有0级的ESD等级,符合MIL-STD-750方法1020标准。
在应用领域方面,JANSR2N7626UBN单P沟道MOSFET适用于多种场景,包括用于FPGA、ASIC和DSP内核轨的负载点(PoL)转换器、同步整流、有源ORing电路、配电电路以及负载开关等。
产品型号:
Part number | Package | Screening Level | TID Level |
RHLUB7970Z4 | UB | COTS | 100 krad(Si) |
JANSR2N7626UB | UB | JANS | 100 krad(Si) |
RHLUB7930Z4 | UB | COTS | 300 krad(Si |
JANSF2N7626UB | UB | JANS | 300 krad(Si |
RHLUBN7970Z4 | UBN | COTS | 100 krad(Si) |
JANSR2N7626UBN | UBN | JANS | 100 krad(Si) |
RHLUBN7930Z4 | UBN | COTS | 300 krad(Si) |
JANSF2N7626UBN | UBN | JANS | 300 krad(Si) |
RHLUBC7970Z4 | UBC | COTS | 100 krad(Si) |
JANSR2N7626UBC | UBC | JANS | 100 krad(Si) |
RHLUBC7930Z4 | UBC | COTS | 300 krad(Si) |
JANSF2N7626UBC | UBC | JANS | 300 krad(Si) |
RHLUBCN7970Z4 | UBCN | COTS | 100 krad(Si) |
JANSR2N7626UBCN | UBCN | JANS | 100 krad(Si) |
RHLUBCN7930Z4 | UBCN | COTS | 300 krad(Si) |
JANSF2N7626UBCN | UBCN | JANS | 300 krad(Si) |
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