F3L150R07W2E3_B11三级相位支路IGBT模块Infineon英飞凌

发布时间：2024-04-26 09:15:51     浏览：320

F3L150R07W2E3_B11三级相位支路IGBT模块Infineon英飞凌

　　F3L150R07W2E3_B11是一款由Infineon英飞凌公司推出的三级相位支路IGBT模块，具有以下特点和优势：

　　特征描述:

　　1. 采用第三代 TRENCHSTOP™ IGBT技术，提高了阻断电压能力，达到650V;

　　2. 低电感设计，有助于减少系统中的电磁干扰;

　　3. 低开关损耗，有助于提高效率和节能;

　　4. 低 VCEsat，减少了功率损耗;

　　5. 采用低热阻Al2O3基板，有助于散热，提高性能稳定性;

　　6. 紧凑型设计，占用空间小，适合需要高集成度的应用;

　　7. PressFIT 压接技术，方便安装维护;

　　8. 集成的安装夹使安装更坚固，提高了系统的可靠性。

　　优势:

　　1. 紧凑模块的概念，适合空间有限的应用场合;

　　2. 优化客户的开发周期，降低成本，有助于客户节约时间和成本;

　　3. 灵活的配置，可以满足不同客户的需求，提供个性化的选择。

onfiguration3-level
Dimensions (width)48 mm
Dimensions (length)56.7 mm
FeaturesPressFIT ; Phase leg
HousingEasyPACK™ 2B
IC(nom) / IF(nom)150 A
IC   max150 A
QualificationIndustrial
TechnologyIGBT3 - E3
VCE(sat) (Tvj=25°C typ)1.45 V
VCES / VRRM650 V
VF (Tvj=25°C typ)1.55 V
Voltage Class   max650 V

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