Vishay SIS626DN-T1-GE3 N沟道25V MOSFET
发布时间:2024-05-16 09:31:15 浏览:294
LD乐动 Siliconix的SIS626DN-T1-GE3是一款N沟道25V MOSFET,它采用了TrenchFET技术,使得该MOSFET具有高效率和低导通电阻的特点。产品封装为PowerPAK1212-8,并且适用于多种应用,如适配器开关和负载开关,尤其是在高侧开关功能中表现优异。
产品特性方面,SIS626DN-T1-GE3在Vgs=10V时的漏源电压(VDs)为25V,具有较低的导通电阻(Rds(on)),其值在不同Vgs条件下有所不同,例如在Vgs=10V时为0.0115Ω。此外,该MOSFET的栅极电荷(Qg Typ.)为16.9*100% Rg,栅极电流限制能力(Typ.)为16.9 A/μs,这些参数体现了其优越的开关性能。
在绝对最大额定值方面,SIS626DN-T1-GE3在25°C下的连续漏极电流(ID)为15.1A,而在70°C下为11.7A。其脉冲漏极电流(IDM)可达32A,表明该MOSFET能够处理较高的瞬态电流。此外,它还具有良好的热性能,最大结到环境温度的热阻(RhJA)在典型和最大值下分别为28°C/W和34°C/W。
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25℃,unless otherwise noted) | |||||||
PARAMETER | SYMBOL | LIMIT | UNIT | ||||
Drain-Source Voltage | VDs | 25 | V | ||||
Gate-Source Voltage | Vas | ±12 | |||||
Continuous Drain Current (Tj=150℃) | Tc=25℃ | lp | 169 | A | |||
Tc=70℃ | 169 | ||||||
TA=25℃ | 15.1 a,b | ||||||
TA=70*℃ | 11.7 a,b | ||||||
Pulsed Drain Current (t =100 μs | DM | 32 | |||||
Continuous Source-Drain Diode Current | Tc=25 ℃ | ls | 169 | ||||
TA=25℃ | 3.1 a,b | ||||||
Single Pulse Avalanche Current | L=0.1 mH | lAs | 20 | ||||
Single Pulse Avalanche Energy | EAS | 20 | mJ | ||||
Maximum Power Dissipation | Tc=25℃ | PD | 52 | W | |||
Tc=70℃ | 33 | ||||||
TA=25℃ | 3.7 a,b | ||||||
TA=70°℃ | 2.4 a,b | ||||||
Operating Junction and Storage Temperature Range | T」,Tst | -55 to +150 | ℃ | ||||
Soldering Recommendations (Peak Temperature)c,d | 260 | ||||||
THERMAL RESISTANCE RATINGS | |||||||
PARAMETER | SYMBOL | TYPICAL | MAXIMUM | UNIT | |||
Maximum Junction-to-Ambient a,e | t≤10 s | JA | 28 | 34 | C/W | ||
Maximum Junction-to-Case (Drain) | Steady State | C | 2 | 2.4 |
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