SD11721 1200V SiC N沟道功率MOSFET
发布时间:2024-07-03 09:18:47 浏览:273
Solitron Devices SD11721 1200V SiC N沟道功率MOSFET的主要特点和技术规格如下:
高阻断电压与低通态电阻:该MOSFET具有高达1200V的阻断电压(Vs = 1200V),并且具有低通态电阻(Ros(on) = 50 mΩ),这意味着在开关状态切换时能够减小功耗,提高效率。
高速开关与低电容:SD11721适合高速开关应用,并且具有低电容特性,这有助于减少开关过程中的能量损失。
高操作结温能力:该MOSFET能够在高温环境下工作,其操作结温范围达到-55℃至+175℃。
快速而健壮的内置体二极管:这是该MOSFET的一个重要特点,能够快速且有效地处理反向电流。
优化的塑料封装:采用TO-247-4塑料封装,具有优化的封装设计和分离的驱动源引脚(4-G),以及8mm的漏极和源极之间的爬电距离(creepage distance),确保了在高温和高湿等恶劣环境下的稳定性和可靠性。
应用广泛:SD11721适用于多种应用,包括太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动器、高压DC/DC转换器以及开关模式电源等。
更多Solitron Devices SiC MOSFET相关产品信息可咨询乐动体育集团。
推荐资讯
Linear Systems 扩展了其 JFET 压控电阻器 (VCR) 系列,用于基于 IC 的器件的低功耗电路。JFET压控电阻器系列新增的两款产品包括LS26VNS单N沟道JFET VCR和LS26VPS单P沟道JFET VCR。N 和 P 沟道版本均由相同的芯片几何形状制成,因此具有互补性。它们是现有VCR11N双N通道的补充。将VCR用于压控放大器或压控增益系统的优点包括:
DAC-0812SE是一款8位数模转换器,由DATEL公司生产,具有125MSPS转换速率、12纳秒稳定时间,支持3V至5V电源,采用28引脚TSSOP封装,工作温度范围广,功耗低,适用于信号重建、高分辨率成像等领域。
在线留言