CY62128ELL-45SXIT SRAM芯片CYPRESS
发布时间:2024-07-18 09:21:17 浏览:241
CY62128ELL-45SXIT 是 Cypress 公司生产的一款高性能 CMOS 静态随机存取存储器(SRAM)芯片。以下是该芯片的详细介绍:
主要特点
1. 访问速度:45 ns,这意味着从发出读取命令到数据可用之间的时间为45纳秒。
2. 工作温度范围:
- 工业级:-40 °C 至 +85 °C
- 汽车级A:-40 °C 至 +85 °C
- 汽车级E:-40 °C 至 +125 °C
3. 电压供应:4.5 V 至 5.5 V,适用于5V系统。
4. 引脚兼容性:与 CY62128B 系列芯片引脚兼容,便于升级和替换。
5. 低功耗:
- 待机电流:典型值为1 µA,最大值为4 µA(工业级)
- 工作电流:典型值为1.3 mA(在1 MHz频率下)
6. 存储扩展:通过 CE$ _1 $、CE$ _2 $ 和 OE 引脚支持存储扩展。
7. 自动断电:当设备未被选中或地址不变时,自动进入低功耗模式。
8. CMOS工艺:采用互补金属氧化物半导体工艺,优化了速度和功耗。
9. 环保封装:提供无铅和无卤素的封装选项,包括32引脚的STSOP、SOIC和TSOP封装。
功能描述
CY62128E 是一款组织为 128K 字 × 8 位的静态 RAM 芯片。它采用先进的电路设计,旨在提供极低的功耗,非常适合需要长时间电池寿命的便携式应用。
- 待机模式:当设备未被选中(CE$ _1 $ 高或 CE$ _2 $ 低)时,功耗减少超过99%。此时,八个 I/O 引脚(I/O$ _0 $ 至 I/O$ _7 $)处于高阻态,输出被禁用(OE 高),或者写操作正在进行(CE$ _1 $ 低且 CE$ _2 $ 低且 WE 低)。
- 写操作:当 CE$ _1 $ 低和 CE$ _2 $ 高,并且 WE 低时,数据通过 I/O 引脚写入指定的内存位置。
- 读操作:当 CE$ _1 $ 低和 CE$ _2 $ 高,并且 OE 低同时 WE 高时,内存位置的数据通过 I/O 引脚读取。
CY62128E适合与具有 TTL 输入电平的处理器接口,但不适合需要 3V 输入电平的处理器。
应用
- 便携式设备
- 工业控制系统
- 汽车电子
- 通信设备
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