Solitron SD11720 N沟道功率MOSFET
发布时间:2024-07-22 10:19:25 浏览:192
SD11720是一款由Solitron Devices, Inc.推出的SiC N沟道功率MOSFET,专为高效率和高可靠性的功率电子应用设计。该器件采用了先进的碳化硅(SiC)技术,提供了卓越的电气性能和热性能,使其成为各种工业和能源应用的理想选择。
主要特点(Key Features)
漏极电流 (I_D): 58A
导通状态电阻 (R_DS(on)): 50mΩ
封装类型: TO-247-3 塑料封装
优势(Benefits)
SD11720 MOSFET具有多项显著优势,包括:
低导通电阻的高阻断电压: 这使得器件在高压应用中能够提供高效率和低损耗。
低电容的高速开关: 高速开关能力减少了开关损耗,提高了整体系统效率。
高工作结温能力: 能够在高达175°C的结温下工作,增强了器件的可靠性和耐久性。
较强的内置体二极管性能: 这对于需要反向恢复特性的应用尤为重要。
应用(Applications)
SD11720 MOSFET广泛应用于以下领域:
- 太阳能逆变器
- 不间断电源 (UPS)
- 电机驱动器
- 高电压直流/直流转换器
- 开关模式电源
绝对最大额定值(Absolute Maximum Ratings)
SYMBOL CHARACTERISTIC TEST CONDITIONS VALUE UNIT | ||||
Vosmx | Drain-Source Voltage | Vs=0V,I=100μA | 1200 | V |
Gate-SourceVoltage | Absolute maximum values | -5/+20 | V | |
l | Continuous Drain Current (see fig.21) | V=20V,T=25℃ Vs=20V,T[=100℃ | 58 43 | A A |
D,pulse | Pulsed Drain Current (see fig.24) | Pulse Width Limited by SOA | 15 | A |
P | Maximum Power Dissipation (see fig.22) | T=25℃ | 327 | W |
T,Tsm | Junction Temperature,Operatingand Storage | -55 to +175 | ℃ | |
I | Solder Temperature | Wave solderingonly allowed at leads,1.6mm from case for 10s | 260 | ℃ |
SD11720 MOSFET的高性能和广泛的应用范围使其成为功率电子领域的关键组件。无论是用于太阳能逆变器、不间断电源、电机驱动器还是高电压DC/DC转换器,SD11720都能提供卓越的性能和可靠性,满足现代功率电子系统对高效率和高可靠性的要求。
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