Linear Systems 3N163/3N164 P沟道MOSFET
发布时间:2024-07-23 09:02:08 浏览:292
3N163和3N164是Linear Systems增强型P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),以其非常高的输入阻抗、高栅极击穿电压、快速切换和低电容特性而著称。这些特性使得它们在电子电路中非常受欢迎。
特点
非常高的输入阻抗
高栅极击穿电压
超低漏电流
快速切换
低电容
最大额定值
封装:提供了TO-72和SOT-143两种封装形式
规格参数:
ELECTRICAL CHARACTERISTICs @25℃ (unless otherwise noted) | |||||||
SYMBOL | CHARACTERISTIC | 3N163 | 3N164 | UNITS | CONDITIONS | ||
Gate Leakage Current | MIN | MAX | MIN | MAX | pA | VGs=-40V,Vos=0(3N163),Vso=0V | |
Gss | -10 | -10 | |||||
TA=+125℃ | 25 | -25 | Vgs=-30V,Vos=0(3N164),Vsa=0V | ||||
BVpss | Drain-Source Breakdown Voltage | 40 | 30 | lo=-10μA Vgs=0,Vas=0 | |||
BVsps | Souce-Drain Breakdown Voltage | 40 | 30 | V | ls=-10μA Vgo=0,Vep=0 | ||
VGsm | Threshold Voitage | -2.0 | -5.0 | -2.0 | -5.0 | Vos=VGs lo=-10μA,Vss=0V | |
VGs | Gate Source Voltage (on) | -3.0 | -6.5 | -3.0 | -6.5 | Vos=-15V lo=-0.5mA,Vsa=0V | |
loss | Zero Gate Voltage,Drain Current (off) | -200 | -400 | pA | Vos=-15V Vgs=0,Vsa=0V | ||
lsDs | Zero Gate Voltage,Source Current | -400 | 800 | Vso=-15V Vgs=0,VoB=0V | |||
Rpsion | Drain-Source on Resistance | 250 | 300 | ohms | Vgs=-20V lo=-100μA,Vsg=0V | ||
lptom | On Drain Current | -5.0 | 30 | -3.0 | 30 | mA | Vos=-15V VGs=-10V,Vse=0V |
gis | ForwardTransconductance | 2.0 | 4.0 | 1.0 | 4.0 | mS | Vos=-15V lo=-10mA f=1kHz |
9og | Output Admittance | 250 | 250 | μS | |||
Cs | Input Capacitance-Output Shorted | 3.5 | 3.5 | pF | Vos=-15V lo=-10mA¹f=1MHz | ||
Css | Reverse Transfer Capacitance | 0.7 | 0.7 | ||||
Coss | Output Capacitance Input Shorted | 3.0 | 3.0 |
相关推荐:
乐动体育集团优势代理Linear Systems产品,价格优惠,欢迎咨询。
推荐资讯
DEI1198-TES-G是一款8通道并行分立数字接口乐动平台(IC),专为航空电子系统设计,主要特性包括8个离散输入通道、电流约为1 mA、雷电瞬态抗扰度高达1600 V、灵活的I/O接口、宽电源电压3.3V ±%,模拟电源电压12.0V至16.5V。该IC符合航空标准,支持TTL/CMOS兼容输入和三态输出,应用时需在每个输入串联3 kΩ电阻,可选增加TVS以提高抗扰度。
PDI(Wi2Wi)的TV07-25000X-C-N-D-3-R-X VCTCXO,尺寸7.00x5.00x2.30 mm,频率8-52 MHz,工作温度-55至+125°C,适用于极端环境,提供高频率稳定性和低相位噪声。
在线留言