Infineon英飞凌IRF3205PBF单N沟道功率MOSFET

发布时间:2024-07-30 09:10:16     浏览:262

  IRF3205PBF是一款单N沟道功率MOSFET,属于IR (现被Infineon收购)MOSFET系列,采用TO-220封装,最大耐压为55V。该器件采用成熟的硅工艺,为设计人员提供了广泛的器件组合,以支持各种应用,如直流电机、逆变器、开关电源(SMPS)、照明、负载开关以及电池供电应用。这些器件采用各种表面贴装和通孔封装,具有行业标准封装,便于设计。

  特征描述

  平面单元结构:适用于宽安全工作区(SOA)。

  广泛可用性:针对分销合作伙伴提供的最广泛可用性进行了优化。

  产品认证:符合JEDEC标准。

  硅优化:针对开关频率低于100kHz的应用进行了优化。

  行业标准通孔功率套件。

  高电流额定值。

  优势

  提高坚固性。

  广泛可用性:来自分销合作伙伴。

  行业标准资质。

  在低频应用中具有高性能。

  标准引脚排列:允许直接替换。

  高电流能力:最大电流ID (@25°C)为110A。

  技术参数

  封装:TO-220。

  极性:N沟道。

  总栅极电荷(QG):典型值为97.3 nC(@10V)。

  栅源电荷(Qgd):36 nC。

  导通电阻(RDS(on)):最大值为8 mΩ(@10V)。

  热阻(RthJC):最大值为1 K/W。

  工作温度:最小-55°C,最大175°C。

  总功率耗散(Ptot):最大150W。

  最大结温(Tj):175°C。

  最大漏源电压(VDS):55V。

  栅源电压(VGS):最大20V。

  阈值电压(VGS(th)):最小3V,最大4V。

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