Linear Systems 3N165/3N166单片双P通道MOSFET
发布时间:2024-08-05 09:13:13 浏览:249
Linear Systems 3N165和3N166是单片双P通道增强型MOSFET,具有以下特点和应用优势:
主要特点
高输入阻抗:这使得它们非常适合需要高阻抗输入的应用,减少了对前级电路的影响。
高栅极击穿电压:允许在更高的电压下工作,增强了器件的可靠性和适用范围。
超低泄漏电流:在关闭状态下几乎不消耗电流,这对于低功耗和精密测量应用至关重要。
低电容:有助于减少信号延迟和失真,提高信号处理的精确度。
应用场景
模拟信号处理:由于其高输入阻抗和低泄漏特性,非常适合用于放大器、滤波器和其他模拟信号处理电路。
精密测量仪器:在需要高精度测量和低噪声的环境中,这些MOSFET可以提供稳定和可靠的性能。
高电压操作:在需要处理高电压信号的应用中,如电源管理和电压转换器,这些器件可以安全可靠地工作。
封装和引脚配置
SOIC封装:适合表面贴装技术,便于自动化生产。
- 引脚配置:NC, G2, G1, D1, Body, D2, NC
TO-99封装:传统的通孔封装,适用于需要更高散热能力的应用。
- 引脚配置:Case & Body, G2, G1, S1 & S2, D1, NC, D2, NC
规格参数:
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ and Ves=0 unless otherwise noted) | |||||||
SYMBOL | CHARACTERISTIC | 3N165 & 3N166 | LS3N165 & LS3N166 | UNITS | CONDITIONS | ||
MIN | MAX | MIN | MAX | ||||
IGs5R | Gate Reverse Leakage Current | 10 | 100 | pA | VGs=40V | ||
lcssF | Gate Forward Leakage Current | -10 | 100 | Vgs=-40V | |||
25 | TA=+125℃ | ||||||
pss | Drain to Source Leakage Current | 200 | 200 | Vos=-20V,Vgs=Ves=0V | |||
IsDs | Source to Drain Leakage Current | 400 | 400 | Vso=-20V,VGp=VDB=0V | |||
D(on) | On Drain Current | -5 | 30 | -5 | -30 | mA | Vos=-15V VGs=-10V Vss=0V |
Vosoh | Gate Source Threshold Voltage | -2 | -5 | -2 | -5 | V | Vos=-15V lo=-10μA Vsg=0V |
VGsm | Gate Source Threshold Voltage | -2 | -5 | -2 | -5 | V | Vos=Vgs lo=-10μA Vsa=0V |
Ds(on | Drain Source ON Resistance | 300 | 300 | ohms | Vgs=-20V lo=-100μA Vsa=0V | ||
gis | ForwardTransconductance | 1500 | 3000 | 1500 | 3000 | μS | Vos=-15V lo=-10mA f=1kHz Vse=0V |
gos | Output Admittance | 300 | 300 | μS | |||
Cs | Input Capacitance | 3.0 | 3.0 | pF | Vos=-15V lo=-10mA f=1MHz (NOTE 3)Vsa=0V | ||
Css | Reverse Transfer Capacitance | 0.7 | 1.0 | ||||
Coss | Output Capacitance | 3.0 | 3.0 | ||||
RE(Ys) | Common Source Forward Transconductance | 1200 | μS | Vos=-15V lo=-10mA f=100MHz (NOTE 3)Vsa=0V |
Linear Systems 3N165和3N166单片双P通道MOSFET因其高输入阻抗、高栅极击穿电压、超低泄漏电流和低电容特性,在模拟信号处理和精密测量领域中表现出色。无论是SOIC还是TO-99封装,都提供了灵活的选择,以适应不同的设计和生产需求。
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