Solitron SMF178 500V N沟道功率MOSFET
发布时间:2024-08-14 09:06:33 浏览:204
Solitron SMF178 是一款高性能的 500V n沟道功率MOSFET,专为需要高电压和高电流处理能力的应用而设计。该器件采用了先进的半导体技术,提供了出色的电气特性和可靠性,使其成为各种工业和消费电子应用中的理想选择。
主要特性
漏极电流(I_D):23A。
导通电阻(R_DS(on)):260mΩ。
快恢复二极管:内置的快恢复二极管提高了开关速度,减少了开关损耗。
雪崩额定:具备雪崩能力,增强了在极端电气条件下的可靠性。
TO-254 密封封装:坚固的封装设计。
背面隔离:提供额外的电气隔离。
可用 JAN/TX, JAN/TXV 筛选:符合严格的筛选标准。
绝对最大额定值
漏-源电压 (V_DS):500V。
栅-源电压 (V_GS):±30V(脉冲)。
漏极电流(I_DS,连续):23A。
功率耗散(P_D):280W。
工作结及储存温度范围(T_J, T_STG):-55°C~150°C。
电气特性
漏-源击穿电压 (V(BR)DSS):500V(典型。
栅极开启电压 (V_GS(th)):2 ~ 5V。
漏-源关态电流 (I_DSS):最大100µA(V_DS=400V,V_GS=0V),最大250µA(V_DS=400V,V_GS=0V,T_J=125°C。
栅-源漏电流 (I_GSS):最大100nA。
全电荷(Q_g):最大150nC。
时间特性:转换时间非常短(开通时间t_on最大100ns, 关断时间t_off最大250ns)。
热阻(R_thJC):最大0.445°C/W。
内部二极管特性
二极管正向电压 (V_SD):最大1.8V (I_SD=23A, V_GS=0V),确保低正向电压降。
二极管反向恢复时间 (t_rr):典型300ns,提高了二极管的恢复速度。
Solitron SMF178 500V n沟道功率MOSFET 是一款高性能的半导体器件,适用于各种需要高电压和高电流处理能力的应用。其出色的电气特性、快速切换能力和可靠性使其成为工业和消费电子领域的理想选择。无论是用于电源管理、电机控制还是其他高功率应用,SMF178 都能提供卓越的性能和稳定性。
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