Linear Systems 3N170/3N171单N沟道增强型MOSFET
发布时间:2024-08-21 09:18:47 浏览:244
Linear Systems 的 3N170 和 3N171 是单 N 沟道增强型 MOSFET,这些器件设计用于快速切换电路和需要低漏源电阻的应用。以下是这些 MOSFET 的详细介绍:
特点:
直接替代性:3N170 和 3N171 可以直接替换 INTERSIL 的同型号产品,方便用户在现有设计中进行升级或替换。
低漏源电阻:r_ds(on) ≤ 200Ω,这意味着在导通状态下,器件的电阻较低,有助于减少功率损耗。
快速切换:t_d(on) ≤ 3.0ns,表明这些 MOSFET 能够快速响应开关信号,适用于高速开关应用。
绝对最大额定值(在 25°C,除非另有说明):
存储温度:-65 至 +150 °C,表明这些器件可以在广泛的温度范围内存储。
工作结温:-55 至 +135 °C,说明这些 MOSFET 可以在极端温度下工作。
连续功率耗散:300mW,限制了器件在连续工作时的最大功率消耗。
最大电流(漏到源):30mA,限制了通过器件的最大电流。
最大电压:
- 漏到栅:±35V
- 漏到源:25V
- 栅到源:±35V
电气特性(在 25°C,V_sb = 0V):
SYMBOL | CHARACTERISTIC | MIN | TYP | MAX | UNITS | cONDITIONS | |
BVoss | Drain to Source Breakdown Voltage | 25 | V | o=10μA,Ves =0V | |||
Vosion | Drain to Source "On"Voltage | 2.0 | p=10mA,VGs =10V | ||||
Vosah | Gate to Source Threshold Voltage | 3N170 | 1.0 | 2.0 | Vos =10V,lo=10μA | ||
3N171 | 1.5 | 3.0 | |||||
css | Gate Leakage Current | 10 | pA | VGs =-35V,Vos =0V | |||
lpss | Drain Leakage Current "Off | 10 | nA | Vos =10V,VGs =0V | |||
oion | Drain Current "On" | 10 | mA | Vcs=10V,Vos=10V | |||
gs | Forward Transconductance | 1000 | μS | Vos =10V,Io=2.0mA,f=1.0kHz | |||
ds(on | Drain to Source "On"Resistance | 200 | Q | VGs =10V,Io=100μA,f=1.0kHz | |||
Crss | Reverse Transfer Capacitance | 1.3 | pF | Vos =0V,Vgs =0V,f=1.0MHz | |||
Ces | Input Capacitance | 5.0 | Vos =10V,VGs =0V,f=1.0MHz | ||||
Cd | Drain to Body Capacitance | 5.0 | Voe =10V,f=1.0MHz |
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