Infineon英飞凌IRF7309TRPBF功率MOSFET

发布时间:2024-08-26 10:02:03     浏览:190

  IRF7309TRPBF是一款由IR公司生产的第五代HEXFET®功率MOSFET,它采用了先进的处理技术,旨在实现超低的导通电阻,从而在单位硅面积上达到尽可能低的电阻值。这款器件具有优越的速度开关性能和强健的设计,使其成为众多应用中的高效设备。

Infineon英飞凌IRF7309TRPBF功率MOSFET

  主要特点:

  第五代技术:利用最新的技术进步,提供优化的性能。

  超低导通电阻:N沟道为0.050Ω,P沟道为0.10Ω,有助于减少功率损耗。

  双N沟道和P沟道MOSFET:在一个封装内集成了两种类型的MOSFET,方便设计。

  表面贴装:适用于自动化组装,提高生产效率。

  提供卷带包装:便于大规模生产中的连续供应。

  动态dv/dt等级:能够处理快速的电压变化率,提高系统的稳定性。

  快速切换:快速开关特性有助于提高系统效率。

  无铅:符合环保标准,减少对环境的影响。

  封装类型:

  SO-8封装:标准的表面贴装封装,适用于多种电路板设计。

参数:

ParametricsIRF7309
ID (@25°C)   max4 A ; -3 A
Moisture Sensitivity Level1
Ptot (@ TA=25°C)   max1.4 W
PackageSO-8
PolarityN+P
QG (typ @4.5V)16.7 nC ; 16.7 nC
Qgd (typ)5.3 nC ; 6 nC
RDS (on) (@4.5V)   max80 mΩ ; 160 mΩ
RDS (on) (@10V)   max50 mΩ ; 100 mΩ
RthJA   max90 K/W
Tj   max150 °C
VDS   max30 V ; -30 V
VGS(th)   min-1 V ; 1 V
VGS   max20 V

IR HiRel原为美国知名半导体品牌,现被Infineon收购。深圳市乐动体育集团科技有限公司,优势渠道供货IR高可靠性系列产品,欢迎各界前来咨询。

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