Solitron碳化硅电源模块

发布时间:2024-10-28 08:58:35     浏览:120

  Solitron公司生产的一系列基于硅碳化物(SiC)半导体的功率模块。这些模块设计用于提高电源应用的系统效率、尺寸、重量、外形尺寸和工作温度范围。

Solitron碳化硅电源模块

  关键特性:

  1. 零正向和反向恢复:意味着这些模块在开关时损耗非常低。

  2. 温度独立开关行为:模块的性能不会随着温度变化而变化。

  3. 非常低的杂散电感:这对于SiC MOSFETs的全速开关至关重要。

  4. ALN基板:用于提高硅碳化物MOSFETs的热导率,从而实现更好的系统热性能、更低的开关损耗和更高的可靠性。

  5. 内部热敏电阻:用于温度监测。

  产品系列:

  半桥模块:这些模块具有非常低的杂散电感,适合高速开关。

  全桥模块:提供高密度的功率转换解决方案。

  PowerMOD系列:应用特定功率模块,用户可以选择不同的电路配置和封装选项,以最佳地适应特定应用。

  应用领域:

  开关模式电源

  逆变器

  电池充电器

  执行器和电机控制应用

  产品规格:

Device TypeType NumberVolltageContinuous
Current
RsmTemperature
  Range
Recovery
Diodes
Package
Half BridgeSD114871200V95A12mQ-55℃to 175℃Yes6x6
Half BridgeSD119021200V50A32mg-55℃to 175℃Yes3x6B
Half BridgeSD119031200V50A32mg-55℃to 175℃No3x6A
Half BridgeSD119041200V50A32mo-55℃to 175℃Yes3x6A
Half BridgeSD119051200V50A32mg-55℃to 175℃No3x6B
Half BridgeSD119061200V105A13mo-55℃to 175℃Yes3x6B
HalfBridgeSD119561200V105A13mg-55℃to 175℃No3x6B
Half BridgeSD119071200V105A13mo-55℃to175℃Yes3x6B
Half BridgeSD119571200V105A13mQ-55℃to 175℃No3x6B
Half BridgeSD11908650V50A7mo-55℃to 175℃Yes3x6B
HalfBridgeSD119101200V50A8mg-55℃to 175℃Yes3x6B
Dual MOSFETSD11911*1200V50A8.6mQ-55℃to 175℃Yes4x6
Dual MOSFETSD11912*1200V105A13mo-55℃to 175℃Yes4x6
Full BridgeSD11915*1200V40A32mo-55℃to 175℃Yes4x10


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