BFP196WH6327XTSA1低噪声硅RF晶体管Infineon英飞凌
发布时间:2024-10-28 09:01:28 浏览:81
BFP196WH6327XTSA1 是一款低噪声硅射频(RF)晶体管,专为需要高频率和低噪声放大的应用而设计。以下是该晶体管的一些关键特性和参数:
特征描述:
1. 集电极电流范围: 适用于集电极电流从20毫安(mA)至80毫安(mA)。
2. 频率范围: 适用于频率高达1.5吉赫兹(GHz)的天线和电信系统。
3. 低噪声和低失真: 适合宽带放大器,如DECT(数字增强无绳通信)和PCN(个人通信网络)系统的功率放大器。
4. 频率特性: 在900兆赫兹(MHz)下,其转换频率(fT)为7.5吉赫兹(GHz),噪声系数(F)为1.3分贝(dB)。
5. 环保: 无铅,符合欧盟的RoHS(限制有害物质使用)标准。
6. 认证: 根据汽车电子委员会(AEC)的AEC-Q101标准提供认证报告。
潜在应用:
1. 无线通信: 适用于无线通信设备。
2. 射频前端: 作为低噪声放大器(LNA)使用。
3. 其他应用: 适用于蜂窝电话、无绳电话、DECT、协调器、FM(调频)和RF(射频)调制解调器等多种应用。
参数:
最大增益(Gmax): 在900MHz时为19分贝(dB)。
最大集电极电流(IC): 150毫安(mA)。
最小噪声系数(NFmin): 在900MHz时为1.30分贝(dB)。
三阶互调截取点(OIP3): 在900MHz时为32分贝毫瓦(dBm)。
1分贝压缩点(OP1dB): 在900MHz时为19分贝毫瓦(dBm)。
封装类型: SOT343。
最大集电极-发射极电压(VCEO): 12伏特(V)。
这款晶体管因其低噪声和高增益特性,非常适合用于需要高线性和高效率的射频放大器设计。
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