Linear Systems的SD210DE/SD214DE和SST210/SST214 N-Channel Lateral DMOS开关
发布时间:2024-12-02 09:28:52 浏览:33
Linear Integrated Systems(LIS)的SD210DE/214和SST210/214系列N-Channel Lateral DMOS Switch是为高速应用设计的高性能MOSFETs,适用于音频、视频和高频领域。
PART NUMBER | VoRjos Min (V) | Vcsjth Max (V) | rDsjon Max(Q | Crss Max(pF) | ton Max(ns) |
SD210DE | 30 | 1.5 | 45@Vgs=10V | 0.5 | 2 |
SD214DE | 20 | 1.5 | 45 @Vcs=10V | 0.5 | 2 |
SST210 | 30 | 1.5 | 50@Vcs=10V | 0.5 | 2 |
SST214 | 20 | 1.5 | 50@Vgs=10V | 0.5 | 2 |
核心特性
极速切换:1纳秒的开启时间,实现快速响应。
低电容:0.2皮法的反向电容,优化高频性能。
低电阻:在5V时的低导通电阻,提高能效。
增强模式:N-Channel设计,简化驱动电路。
性能优势
高速性能:支持高速系统,减少信号损失。
低损耗:在高频下保持低插入损耗。
易驱动:简单的驱动要求,适合单电源操作。
应用场景
模拟开关:快速切换模拟信号。
采样保持:高速采样和保持电路。
图像处理:像素速率切换。
DAC去抖动:数字模拟转换器的去抖动。
信号驱动:高速信号驱动。
技术参数
击穿电压:20V至30V,提供过压保护。
阈值电压:最大1.5V,确保低功耗。
导通电阻:在10V栅源电压下,最大45Ω。
开关时间:开启时间0.5ns至1ns,关闭时间2ns至6ns。
环境适应性
工作温度:-55°C至125°C。
功耗:最大300mW。
动态性能
正向跨导:典型值11mS至10.5mS。
节点电容:低至2.5pF。
结论
SD210DE/214和SST210/214系列MOSFETs以其高速切换、低损耗和宽电压范围,成为高速电子应用的理想选择。无论是在音频、视频还是高频应用中,这些MOSFETs都能提供稳定可靠的性能。LIS,一家拥有三十多年历史的精密半导体公司,以其高质量的离散组件和丰富的行业经验,确保了这些产品的性能和可靠性。
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