Linear Systems

Linear Systems是小信号分立半导体的设计商和制造商。公司成立于1987年，产品线包括：超低噪声 N 沟道和 P 沟道双通道和单通道 JFET、高速横向 DMOS 开关、双极晶体管、BIFET 放大器、电流调节二极管、低漏电流二极管、MOSFET、PhotoFETS 和压控电阻器。主要市场包括：音频;杂交种;工业控制;仪表;医疗电子;军事;空间;和测试与测量。

相关产品

2N4351系列单通道N沟道MOSFET

储存温度:-55 ~ +150℃

工作结温:-55 ~ +150°C

连续功率:350mW

漏极到源:20mA

漏至阀体:25V

漏极到源端:25V

栅极到源:±30V
订货周期6-8周

3N163系列单通道P沟道MOSFET

3N163: -40 v

3N164: -30 v

漏极电流:50 ma

存储温度:-55℃~ +150℃

TO-72机箱:375mW2

SOT-143机箱:350mW3
订货周期4-6周

LS350系列单片双通道PNP晶体管

储存温度:-55°~ +150°C

工作结温:+150°C

IC:10mA
订货周期6-8周

LS318单片双路NPN晶体管

存储温度范围:-55℃~ +150℃

工作温度范围:-55℃~ +150℃

IC:10mA
订货周期6-8周

IT120系列单片双通道NPN晶体管

存储温度范围:-65℃~ +150℃

工作温度范围:-55℃~ +150℃

IC:10mA
订货周期6-8周

ID100系列单片双通道微型放大器低漏电流二极管

储存温度:-65 ~ +150℃

工作结温:-55 ~ +150°C

连续功耗:300mW

正向电流:20 ma

反向电流:100µA

反向电压:30 v

二极管到二极管电压:±50V
订货周期6-8周

DPAD/SSTDPAD系列单通道微型放大器低漏电流二极管

储存温度:-55℃~ +150℃

工作结温:-55℃~ +150℃

连续功耗(DPAD):3 500mW

正向电流(DPAD):50mA
订货周期6-8周

PAD-DFN系列微型8引脚低漏电流二极管

储存温度:-55 ~ +150℃

工作结温:-55 ~ +150°C

连续功耗:300mW

正向电流:10mA
订货周期6-8周

J/SST/PAD系列单通道低漏电流二极管

储存温度:-55 ~ +150℃

工作结温:-55 ~ +150°C

PAD (Continuous Power耗散):300mW

连续功耗(J/SSTPAD): 350mW

正向电流(PAD): 50mA

正向电流(J/SSTPAD):10mA
订货周期6-8周

SD5000系列DMOS FET开关 4通道高速N沟道横向

•四路SPST开关与齐纳输入保护

•低电极间电容和漏电

•超高速开关-吨:1 ns

•超低反向电容:0.2 pF

•低保证rDS @ 5v

•低开启阈值电压
订货周期6-8周

SD/SST210系列DMOS高速开关

•超高速开关-吨:1ns

•超低反向电容:0.2pF

•低保证rDS @5V

•低开启阈值电压

•n通道增强模式
订货周期6-8周

LS5301系列高输入阻抗N沟道JFET放大器

储存温度:-55 ~ 150℃

工作结温:-55至135°C

最大功耗:300mW

最大正向电流:50mA

最大栅漏电压:-30V

最大栅源电压:-30V
订货周期6-8周

LSK170X超低噪声高IDSS单N沟道JFET放大器

超低噪音(f=1kHz): en = 1.9NV/√HZ

高击穿电压:BVGSS=40V min

高增益:Gfs=22mS(类型)

高输入阻抗:最大IG= -500pA

低电容:20pF (type)
订货周期6-8周

JFET放大器LS/PF/SST5301 单通道高输入阻抗N沟道

储存温度:-55 ~ 150℃

工作结温:-55至135°C

最大功耗:300mW

最大正向电流:50mA

最大栅漏电压:-30V

最大栅源电压:-30V
订货周期6-8周

LSBF510低噪声单N沟道JFET放大器

储存温度:-65 ~ +150℃

结工作温度:-55至+150°C

连续功耗@ +25°C: 350mW

栅极正向电流:IG(F) = 10mA

栅极到源:VGSS = 30V

栅极到漏极:VGDS = 30V
订货周期6-8周

4117DFN系列JFET放大器 单通道低电容超高输入阻抗N沟道

栅源或栅漏电压:-40V

马栅电流:50

器件总耗散:300mW

存储温度范围:-55℃~ +150℃
订货周期6-8周

2N/PN/SST4416系列JFET放大器 单通道高频N沟道

储存温度:-55 ~ +150℃

工作结温:-55至+135°C

连续功耗:300mW

门电流:10mA

栅极漏极或栅极源2N4416: -30V

栅极漏极或栅极源2N4416A: -35V
订货周期6-8周

LSJ/SST74系列JFET放大器 单通道超低噪声P沟道

储存温度:-55 ~ +150℃

结工作温度:-55至+135°C

连续功率:400mW

栅极正向电流:IG(F) = -10mA

栅极到漏极电压:VGDS = 25V

门源电压:VGSS = 25V
订货周期6-8周

LSK170系列单通道JFET放大器 低噪声低电容高输入阻抗N沟道

储存温度:-55 ~ +150℃

结工作温度:-55至+135°C

连续功耗@ +25°C: 400mW

栅极正向电流:IG(F) = 10mA

栅极到源:VGSS = 40V

栅极到漏极:VGDS = 40V
订货周期6-8周

2N/LS3954系列双通道JFET放大器

低漂移:IΔVGS1-2/ΔT│=5µV/°C max。

低泄漏:IG=20pA型。

低噪声:en=10Nv/√Hz。
订货周期8-10周
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