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Linear Systems是小信号分立半导体的设计商和制造商。公司成立于1987年,产品线包括:超低噪声 N 沟道和 P 沟道双通道和单通道 JFET、高速横向 DMOS 开关、双极晶体管、BIFET 放大器、电流调节二极管、低漏电流二极管、MOSFET、PhotoFETS 和压控电阻器。主要市场包括:音频;杂交种;工业控制;仪表;医疗电子;军事;空间;和测试与测量。
LS830系列JFET放大器 超低漏电低漂移单芯片双N沟道
储存温度:-55 ~ +150℃
工作结温:-55 ~ +150°C
-VGSS栅极对漏极或源极电压:40V
-VDSO漏极到源电压:40V
-IG(f)栅极正向电流:10mA
-IG栅极反向电流:10µA
连续耗电量(总):500mW
LS840系列JFET放大器 低噪声低漂移低电容单芯片双N沟道
低噪声:en=8nV/Hz TYP
低泄漏:IG=10pA TYP
低漂移:I VGS1-2/TI=5µV/ºC max.
低偏置电压:IVGS1-2I=2mV TYP.
LS5911系列JFET放大器 宽带高增益单芯片双通道N沟道
门电流:50mA
栅极到漏极:-25V
栅极到源:-25V
LS844系列JFET放大器 超低噪声低漂移单芯片双N沟道
超低噪音:en=2.5nV/Hz @1kHz
低漏电:IG=15pA。
低漂移:I VGS1-2/TI=5µV/ºC。
低偏置电压:IVGS1-2I=5mV最大值
SST/U421系列JFET放大器 低泄漏低漂移单芯片双通道N沟道
高输入阻抗:IG=0.25pA MAX
高增益:gfs=120µS MIN
低功耗操作:VGS(off)=2V MAX
LSJ689系列JFET放大器 低噪声低电容单芯片双P沟道
超低噪音:en = 2.0nV/√Hz
低输入电容:Ciss = 8pF
结工作温度:-55至+150°C
单侧连续功率:300mW
总功耗:500mW
栅极正向电流:IG(F) = -10mA
栅极对源:VGS = 50V
栅极到漏极:VGD = 50V
LSK589系列JFET放大器 低噪声低电容单芯片双N沟道
超低噪音:en = 4.0 nV/√Hz
低输入电容:Ciss = 5pF
高跨导:Gfs≥4000µS
LSK489系列JFET放大器 低电容单芯片双N沟道
工作温度:-55至+150°C
连续功耗@ +25°C:300mW
栅极正向电流:IG(F) = 10mA
门对源:VGSS = 60V
栅极到漏极:VGDS = 60V
LSK389系列JFET放大器 低噪声单芯片双通道N沟道
连续功耗@ +25°C:400mW
门对源:VGSS = 40V
栅极到漏极:VGDS = 40V
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