IR高可靠性MOSFETs

发布于:2020-09-28 18:07:36

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满足各种需求的创新MOSFET技术

英飞凌的功率MOSFET产品组合

坚固耐用:创新型工业功率MOSFET
杰出性能:汽车功率MOSFET
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英飞凌的n沟道和p沟道功率MOSFET设计独特,可以带来更高的效率、功率密度和成本效益。

英飞凌是高效发电、电力和功耗解决方案的市场领导者。英飞凌最新一代MOSFET晶体管的设计旨在确保市场领先的性能,提高效率,并基于最新的EMI行为实现更好的散热。

AC-DC应用需要高电压阻断能力和低损耗快速开关,利用革命性的CoolMOS伽马超级结技术实现更高效的电源供应。英飞凌的超结MOSFET可以满足当今各种拓扑的趋势,从简单的反激式到TCM图腾极PFC。设计师从低温、改进形状和更高效率中受益。


ProductVDS max [V]VDS [V]RDS (on) @10V max [mΩ]RDS (on) @4.5V max [mΩ]ID  @25°C max [A]QG typ @10V [nC]QG typ @4.5V [nC]Operating Temperature  [°C]VGS(th)  [V]
FS05MR12A6MA1B
1200






IPLK60R1K5PFD7600
1500
3.84.6
-55~1503.5~4.5
FF08MR12W1MA1_B11A








IPLK60R360PFD7600
360
1312.7
-55~1503.5~4.5
IMBG120R090M1H1200


26

-55~175
IPLK60R600PFD7600
600
78.5
-55~1503.5~4.5
IMBG120R350M1H1200


36

-55~175
IPLK60R1K0PFD7600
1000
5.26
-55~1503.5~4.5
IMBG120R220M1H1200


13

-55~175
IMBG120R045M1H1200


47

-55~175
IAUC28N08S5L23080
23
2811.6
-55~1751.2~2
IMBG120R060M1H1200


36

-55~175
IMBG120R030M1H1200


56

-55~175
IAUZ20N08S5L30080
30
208.1
-55~1751.2~2
IAUZ40N08S5N10080
10
4018.6
-55~1752.2~3.8
IMBG120R140M1H1200


18

-55~175
IPZ40N04S5L-7R440
7.4
4013

1.2~2
IPP65R125C7650
125
1835
-553~4
IPP65R095C7650
95
2445
-553~4
IPP60R099P7600
99
3145
-55~1503~4
IPB120N04S4-0440


12042

2~4
IRLR3110Z100
141663
34
~2.5
IPP60R105CFD7600
105
2142
-55~1503.5~4.5
IPP60R120P7600
120
2636
-55~1503~4
AUIRFS4310100
7
75170

2~4
IPD50R280CE500
280
1332.6
-552.5~3.5
IPB017N10N5100
1.7
273168
-55~1752.2~3.8
IRF40H21040
1.7
201101

2.2~3.7
IPA80R1K4P7800
1400
410
-55~1502.5~3.5
IRFP4768250
17.5
93180

3~5
IRFB773075
2.6
246271

2.1~3.7
IPAN80R450P7800
450
1124
-55~1502.5~3.5
IPP60R120C7600
120
1934
-55~1503~4
IPW60R045CPA600
45
60150

2.5~3.5
IPI80N06S4-0760
7.1
8043

2~4

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