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Solitron的碳化硅 (SiC) MOSFET 具有非常低的 RDS(开)即使在高温下，与一流的硅技术相比，开关性能也非常出色，与温度的变化最小。碳化硅具有比硅更高的效率水平，因为它的能量损失和反向充电显着降低。这导致在接通和关断阶段需要更多的开关功率和更少的能量。结合高开关频率，这意味着更小的磁性元件，大大减轻了系统的重量和尺寸。
这些 650V 至 1200V SiC MOSFET 采用低成本商用 TO-247 至全密封 TO-258 封装，工作温度为 200°C，非常适合各种应用，可在最极端的环境中生存。在可再生能源、电动汽车/电动汽车充电、电机驱动、感应加热和高压逆变器/电源等众多应用中，碳化硅技术提供了具有优势的尺寸、重量和效率。
可进行 COTS、TX、TXV 和 S 级筛查。可根据要求提供定制配置和封装，包括电源模块。
| Type Number | Voltage | Drain Current | Rds (On) | Package | Isolated Case | Temp. Range |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SD11702 | 650V | 50A | 7mΩ | TO-258 3L hermetic | Yes | -55°C to 175°C |
| SD11703 | 900V | 50A | 10mΩ | TO-258 3L hermetic | Yes | -55°C to 175°C |
| SD11704 | 900V | 32A | 35mΩ | TO-258 5L hermetic | Yes | -55°C to 150°C |
| SD11705 | 1200V | 50A | 32mΩ | TO-258 3L hermetic | Yes | -55°C to 175°C |
| SD11707 | 1200V | 50A | 16mΩ | TO-258 3L hermetic | Yes | -55°C to 175°C |
| SD11710 | 700V | 140A | 15mΩ | TO-258 3L hermetic | Yes | -55°C to 175°C |
| SD11720 | 1200V | 58A | 50mΩ | TO-247 3L plastic | No | -55°C to 175°C |
| SD11721 | 1200V | 58A | 50mΩ | TO-247 4L plastic | No | -55°C to 175°C |
| SD11740 | 1200V | 100A | 8.6mΩ | SOT 227B | No | -55°C to 175°C |
SD11703 – 900V 宽温金属封装碳化硅MOS管 N 沟道
主要特征：
ID = 50A
RDS(ON) = 10mΩ
隔离背面
TO-258 密封封装
MIL-PRF-19500 筛查可用
好处
无热失控的并联装置
更高的系统效率
更小的散热器
理想的外部环境应用
机器人与伺服控制
应用
航空航天
高效率的转换器和马达驱动
电力供应
