Solitron宽温碳化硅功率模块SD11902高密度半桥

发布于:2023-10-31 11:03:43

品牌名称:Solitron DEVICES INC

重要参数:

· 零正反向恢复

· 与温度无关的开关行为

· 极低的杂散电感

· ALN基板,提高热性能

· 用于温度监控的内部热敏电阻

  • 产品详情

  碳化硅 (SiC) 半导体是电源应用的创新选择,可提高系统效率、尺寸、重量、外形尺寸和工作温度范围。Solitron 将最新的先进 SiC 技术与独特的轻质封装相结合,推出了一系列新的高密度半桥和全桥模块。模块中非常低的杂散电感对于SiC MOSFET的全速开关至关重要。高开关频率转化为更小的磁性元件,从而显著减小了系统重量和尺寸。Solitron使用先进的技术和材料,包括AlN衬底,增强了碳化硅MOSFET的高导热性。这样可以提高系统导热性、降低开关损耗和增强可靠性。

  Solitron 提供各种标准 SiC 功率模块,包括半桥和全桥配置以及 PowerMOD 系列专用功率模块。借助 PowerMOD 系列,用户可以从各种电路配置和封装选项中进行选择,以针对特定机会优化定制器件。

  碳化硅功率模块是开关电源、逆变器、电池充电器、驱动和电机控制应用的理想选择。

Device Type
 
Type Number
 
Voltage
 
Continuous
Current
RDS(on)
 
Temp. Range
 
Pinout
 
Recovery
Diodes
Temperature
Sensor
Half BridgeSD119021200V50A32mΩ-55°C to 175°C3x6 BYesYes
Half BridgeSD119031200V50A32mΩ-55°C to 175°C3x6 ANoYes
Half BridgeSD119041200V50A32mΩ-55°C to 175°C3x6 AYesYes
Half BridgeSD119051200V50A32mΩ-55°C to 175°C3x6 BNoYes
Half BridgeSD119061200V105A13mΩ-55°C to 175°C3x6 BYesYes
Half BridgeSD119561200V105A13mΩ-55°C to 175°C3x6 BYesNo
Half BridgeSD119071200V105A13mΩ-55°C to 175°C3x6 BNoYes
Half BridgeSD119571200V105A13mΩ-55°C to 175°C3x6 BNoNo
Half BridgeSD11908650V50A15mΩ-40°C to 175°C3x6 BNoYes
Half BridgeSD119101200V120A8mΩ-55°C to 175°C3x6 BNoYes
Dual MOSFETSD119111200V120A8.6mΩ-55°C to 175°C4x6NoYes
Dual MOSFETSD11912 *1200V105A13mΩ-55°C to 175°C4x6NoYes
Full BridgeSD11915 *1200V40A32mΩ-55°C to 175°C4x10NoYes
Full BridgeSD11916 *1200V50A8mΩ-55°C to 175°C4x10NoYes
Half BridgeSD11918 *1200V105A13mΩ-55°C to 175°C6x6NoYes
Half BridgeSD11919 *1200V105A13mΩ-55°C to 175°C6x6 SMDNoYes

宽温碳化硅功率模块SD11902高密度半桥


特点和优点

•优异的系统效率,由于低开关和传导损失的sic

•卓越的功率转换效率在高频操作

•高速开关w /低电容

•减少寄生电感和电容

•真正的开尔文源连接稳定栅极驱动

•隔离的背面直接安装到散热器

•铝基板和铜基板的导热性

•高结温操作

•低结壳热阻

•降低热需求和系统成本

•集成NTC温度传感器

•坚固的安装由于集成安装衬套

•低调紧凑的包装






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