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碳化硅 (SiC) 半导体是电源应用的创新选择,可提高系统效率、尺寸、重量、外形尺寸和工作温度范围。Solitron 将最新的先进 SiC 技术与独特的轻质封装相结合,推出了一系列新的高密度半桥和全桥模块。模块中非常低的杂散电感对于SiC MOSFET的全速开关至关重要。高开关频率转化为更小的磁性元件,从而显著减小了系统重量和尺寸。Solitron使用先进的技术和材料,包括AlN衬底,增强了碳化硅MOSFET的高导热性。这样可以提高系统导热性、降低开关损耗和增强可靠性。
Solitron 提供各种标准 SiC 功率模块,包括半桥和全桥配置以及 PowerMOD 系列专用功率模块。借助 PowerMOD 系列,用户可以从各种电路配置和封装选项中进行选择,以针对特定机会优化定制器件。
碳化硅功率模块是开关电源、逆变器、电池充电器、驱动和电机控制应用的理想选择。
Device Type | Type Number | Voltage | Continuous Current | RDS(on) | Temp. Range | Pinout | Recovery Diodes | Temperature Sensor |
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Half Bridge | SD11902 | 1200V | 50A | 32mΩ | -55°C to 175°C | 3x6 B | Yes | Yes |
Half Bridge | SD11903 | 1200V | 50A | 32mΩ | -55°C to 175°C | 3x6 A | No | Yes |
Half Bridge | SD11904 | 1200V | 50A | 32mΩ | -55°C to 175°C | 3x6 A | Yes | Yes |
Half Bridge | SD11905 | 1200V | 50A | 32mΩ | -55°C to 175°C | 3x6 B | No | Yes |
Half Bridge | SD11906 | 1200V | 105A | 13mΩ | -55°C to 175°C | 3x6 B | Yes | Yes |
Half Bridge | SD11956 | 1200V | 105A | 13mΩ | -55°C to 175°C | 3x6 B | Yes | No |
Half Bridge | SD11907 | 1200V | 105A | 13mΩ | -55°C to 175°C | 3x6 B | No | Yes |
Half Bridge | SD11957 | 1200V | 105A | 13mΩ | -55°C to 175°C | 3x6 B | No | No |
Half Bridge | SD11908 | 650V | 50A | 15mΩ | -40°C to 175°C | 3x6 B | No | Yes |
Half Bridge | SD11910 | 1200V | 120A | 8mΩ | -55°C to 175°C | 3x6 B | No | Yes |
Dual MOSFET | SD11911 | 1200V | 120A | 8.6mΩ | -55°C to 175°C | 4x6 | No | Yes |
Dual MOSFET | SD11912 * | 1200V | 105A | 13mΩ | -55°C to 175°C | 4x6 | No | Yes |
Full Bridge | SD11915 * | 1200V | 40A | 32mΩ | -55°C to 175°C | 4x10 | No | Yes |
Full Bridge | SD11916 * | 1200V | 50A | 8mΩ | -55°C to 175°C | 4x10 | No | Yes |
Half Bridge | SD11918 * | 1200V | 105A | 13mΩ | -55°C to 175°C | 6x6 | No | Yes |
Half Bridge | SD11919 * | 1200V | 105A | 13mΩ | -55°C to 175°C | 6x6 SMD | No | Yes |
特点和优点
•优异的系统效率,由于低开关和传导损失的sic
•卓越的功率转换效率在高频操作
•高速开关w /低电容
•减少寄生电感和电容
•真正的开尔文源连接稳定栅极驱动
•隔离的背面直接安装到散热器
•铝基板和铜基板的导热性
•高结温操作
•低结壳热阻
•降低热需求和系统成本
•集成NTC温度传感器
•坚固的安装由于集成安装衬套
•低调紧凑的包装