- 产品详情
射频功率晶体管(RF Power Transistor)，是专门设计用于射频(Radio Frequency)应用的功率放大器。它具有高频率特性、线性度好、能够在射频范围内产生高功率输出等特点，常用于无线通信、卫星通信、雷达、广播电视发射等高频率应用中。
功率LDMOS晶体管:
这款 1600W LDMOS RF功率晶体管基于先进坚固耐用技术 (ART)，旨在涵盖 ISM、广播和通信的广泛应用。无与伦比的晶体管具有 1 MHz 至 425 MHz 的频率范围。
ART1K6FH; ART1K6FHS; ART1K6FHG选型：
| ART1K6 | ART1K6FH | ART1K6FHU |
特点和优势：
高击穿电压可在 V 下实现 E 类操作DS= 48 伏
适用于 VDS= 50 和 55 V
最高可达 VDS= 55 伏
额定电压范围为 30 V 至 55 V，适用于扩展功率范围
轻松控制电源
集成的双面 ESD 保护可实现 C 类操作并完全关断晶体管
出色的坚固性，不会降低器件性能
高效率
优异的热稳定性
专为宽带操作而设计
应用：
工业、科学和医疗应用
等离子发生器
MRI系统
一氧化碳2激光器
粒子加速器广播
调频收音机
VHF电视通信
非蜂窝通信
UHF雷达
