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选型：
BLC10G18XS-400AVT
BLC10G18XS-602AVT
功率LDMOS晶体管BLC10G18XS-400AVT:
400 W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管，适用于频率为1805 MHz至1880 MHz的基站应用。
功率LDMOS晶体管BLC10G18XS-602AVT：
600W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管，适用于频率为1805 MHz至1880 MHz的基站应用。
特点和优势:
出色的坚固性
高效率
低热阻，提供出色的热稳定性
更低的输出电容，可提高 Doherty 应用的性能
专为低记忆效应而设计，提供出色的数字预失真能力
内部匹配，易于使用
集成ESD保护
应用：
射频功率放大器，适用于1805 MHz至1880 MHz频率范围内的基站和多载波应用
