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BLC10G22XS-400AVT | BLC10G22XS-551AVT | BLC10G22XS-551AVTZ |
BLC10G22XS-602AVTZ |
功率LDMOS晶体管BLC10G22XS-400AVT:
400 W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管,适用于频率为2110 MHz至2200 MHz的基站应用。
功率LDMOS晶体管BLC10G22XS-551AVT:
550W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管,适用于频率为2100 MHz至2200 MHz的基站应用。
功率LDMOS晶体管BLC10G22XS-602AVT:
600W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管,适用于频率为2110 MHz至2170 MHz的基站应用。
特点和优势:
· 出色的坚固性
· 高效率
· 低热阻,提供出色的热稳定性
· 更低的输出电容,可提高 Doherty 应用的性能
· 专为低记忆效应而设计,提供出色的数字预失真能力
· 内部匹配,易于使用
· 集成ESD保护
应用:
射频功率放大器,适用于2110 MHz至2200 MHz频率范围内的基站和多载波应用。