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选型：
CLF3H0060-10；CLF3H0060S-10
CLF3H0060-30；CLF3H0060S-30
CLF3H0035-100 ；CLF3H0035S-100
CLF3H0060-10；CLF3H0060S-10
CLF3H0060-10 和 CLF3H0060S-10 是 10 W 通用、无与伦比的宽带 GaN-SiC HEMT 晶体管，可在 DC 至 6.0 GHz 的频率范围内使用。该器件采用热增强型封装，支持连续波和脉冲应用。
CLF3H0060-30 ；CLF3H0060S-30
CLF3H0060-30 和 CLF3H0060S-30 是 30 W 通用、无与伦比的宽带 GaN-SiC HEMT 晶体管，可在 DC 至 6.0 GHz 的频率范围内使用。该器件采用热增强型封装，支持连续波和脉冲应用。
CLF3H0035-100 ；CLF3H0035S-100
CLF3H0035-100 和 CLF3H0035S-100 是 100 W 通用、无与伦比的宽带 GaN HEMT 晶体管，可在 DC 至 3.5 GHz 的频率范围内使用。该器件采用热增强型封装，支持连续波和脉冲应用。
参数
| 象征 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值/否 | 麦克斯 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| f范围 | 频率范围 | 0 | 6000 | 兆赫 | ||
| PL（1分贝） | 1 dB增益压缩时的标称输出功率 | 10 | W | |||
| 测试信号：脉冲连续波 | ||||||
| VDS | 漏源电压 | PL= 10 瓦 [0] | 50 | V | ||
| Gp | 功率增益 | PL= 10 瓦 [0] | 18.8 | 20.1 | 分贝 | |
| RL系列在 | 输入回波损耗 | PL= 10 瓦 [0] | -15 | 分贝 | ||
| ηD | 排水效率 | PL= 10 瓦 [0] | 57 | 63 | % | |
特点和优势：
10 W 通用宽带射频功率 GaN HEMT
高效率
低热阻
出色的坚固性
专为 DC 至 6.0 GHz 频率范围内的宽带操作而设计
支持 50 V 的 10 W GaN-SiC HEMT，采用无与伦比的配置，采用气腔陶瓷封装
在易于应用的软件包中提供敏捷的性能
有关 RoHS 合规性，请参阅 Ampleon 网站上的产品详细信息
ADS 和 MWO 中的大信号模型可在 Ampleon 网站上找到
应用：
宽带战术通信
宽带对策
仪表放大器
UHF、L 和 S 波段雷达
