CLF3H0035-100宽带射频功率GaN HEMT晶体管

发布于：2023-11-21 10:13:34

品牌名称：Ampleon

重要参数：

功率：100W

频率范围：DC~3.5 GHz

应用范围：连续波和脉冲应用

  • 产品详情

CLF3H0035-100 ；CLF3H0035S-100


宽带射频功率GaN HEMT：

CLF3H0035-100 和 CLF3H0035S-100 是 100 W 通用、无与伦比的宽带 GaN HEMT 晶体管，可在 DC 至 3.5 GHz 的频率范围内使用。该器件采用热增强型封装，支持连续波和脉冲应用。

image.png


选型：

image.png


特点和优势：

100 W 通用宽带射频功率 GaN HEMT

高效率

低热阻

出色的坚固性

专为 DC 至 3.5 GHz 频率范围内的宽带操作而设计


上一个: CLF3H0060-30宽带射频功率GaN-SiC HEMT晶体管

下一个: 700W LDMOS RF功率晶体管ART700FH

推荐产品

在线留言

在线留言