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SiC MOSFET采用英飞凌性能优化芯片技术(Gen1p)，具有一流的开关性能、抗寄生导通的鲁棒性以及改进的RDSon和Rth(j-c)。高功率密度、卓越的效率、双向充电能力和显著降低的系统成本使其成为车载充电器和DCDC应用的理想选择。
导通电阻：1200V PPOS
9mOhm：AIMBG120R010M1
20mOhm：AIMBG120R020M1
30mOhm：AIMBG120R030M1
40mOhm：AIMBG120R040M1
60mOhm：AIMBG120R060M1
80mOhm：AIMBG120R080M1
120mOhm：AIMBG120R120M1
160mOhm：AIMBG120R160M1
功能概要
革命性的半导体材料——碳化硅
极低的开关损耗
无阈值导通状态特性
0V 关断栅极电压
基准栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V
完全可控的 dv/dt
换向稳健体二极管，可进行同步整流
与温度无关的关断开关损耗
用于优化开关性能的检测引脚
适用于高压爬电距离要求
XT 互连技术，实现一流的热性能
好处
效率提升
实现更高的频率
提高功率密度
减少冷却工作量
降低系统复杂性和成本
潜在应用
车载充电器DC-DC转换器电子保险丝
电池断开
参数：
| Parametrics | AIMBG120R040M1 |
|---|---|
| Ciss | 1264 pF |
| Coss | 63 pF |
| ID (@25°C) max | 54 A |
| Operating Temperature min max | -55 °C 175 °C |
| Ptot (@ TA=25°C) max | 268 W |
| Package | TO-263-7 |
| Polarity | N |
| QG | 43 nC |
| Qualification | Automotive |
| RDS (on) (@ Tj = 25°C) | 40 mΩ |
| RthJC max | 0.56 K/W |
| VDS max | 1200 V |
| VGSS, off | 0 |
| VGSS, on | 20 |
