Infineon英飞凌P 沟道 MOSFET 采用空穴流作为载流子，其迁移率小于 N 沟道 MOSFET 中的电子流。就功能而言，二者的主要区别在于 P 沟道 MOSFET 需要从栅极到源极的负电压 (VGS) 才能导通，而 N 沟道 MOSFET 则需要正 VGS 电压。这使得 P 沟道 MOSFET 成为高边开关的理想之选。器件设计简洁，有利于在有限空间内打造低压驱动应用和非隔离 POL 产品。P 沟道 MOSFET 特性的一大优势在于可简化栅极驱动技术，这通常可降低整体成本。

英飞凌提供从-12 V到-250 V各种电压等级的P沟道功率MOSFET。P沟道增强型功率MOSFET为设计者提供了一种新的选择，可以在优化性能的同时简化电路设计，有-60 V 、-100 V，以及-200 V和-250 V P沟道MOSFET。P沟道器件的主要优势是降低了中、低功率应用的设计复杂性。英飞凌的-12 V P沟道MOSFET和-20 V P沟道MOSFET提供了行业标准的表贴功率封装，而-30 V P沟道MOSFET和-40 V P沟道MOSFET则经过优化，可从分销商合作伙伴处获得最广泛的供应支持。

P沟道功率MOSFET，包括P沟道MOSFET-12V系列，非常适用于电池保护、反极性保护、线性电池充电器、负载开关、DC-DC转换器和低压驱动应用。P沟道MOSFET，如P沟道MOSFET-30V系列，通常用于消费电子产品，如笔记本、手提电脑、手机和PDA。

可用的封装包括D²PAK、DPAK、 DirectFET, IPAK, I2 PAK, PQFN, SOT-223, TO-220, TO-247, SOT-23, TSOP-6, 和SuperSO8等等。浏览我们的产品列表，找到高度创新的完整P沟道MOSFET产品清单，包括我们的 OptiMOS™产品系列，电压范围涵盖-12 V至-250 V。

30V单P沟道StrongIRFET™功率MOSFET，采用DirectFET™ MX封装

StrongIRFET™功率MOSFET系列针对低R进行了优化DS(开)和高电流能力。这些器件非常适合需要高性能和耐用性的低频应用。全面的产品组合适用于广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 转换器。

特征描述：

针对分销合作伙伴提供最广泛的可用性进行了优化

符合JEDEC标准的产品认证

高额定电流

双面冷却能力

封装高度低：0.7mm

低寄生 (1-2 nH) 电感封装

100%无铅(无RoHS豁免)

优势：

分销合作伙伴的广泛可用性

行业标准资质等级

高载流能力

最佳热性能

紧凑的外形

高效率

环保

应用：

电源管理功能

电机控制车载充电器

直流-直流

消费者

参数：