- 产品详情
描述:
Connor-Winfield 5.0 0x3.2mm温度补偿晶体振荡器和电压控制温度补偿晶体振荡器专为在小封装中需要严格频率稳定性的应用而设计。通过使用模拟温度补偿，该器件能够在宽温度范围内保持低于1 ppm的稳定性。
TCXO温度补偿晶振：
| 零件编号 | 产品类型 | 包 | 频率稳定性 | 频率容差 | 频率校准 | 电源电压 | 频率范围 | 温度范围 | 拉力范围 | 关键词 |
| M30x TCXO 系列 RoHS | TCXO系列 | SM 5x3.2毫米 | +/-0.28ppm | +/-4.6ppm | 不适用 | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | 0 至 85°C | 不适用 | 第 3 层 |
| M31x TCXO 系列 RoHS | TCXO系列 | SM 5x3.2毫米 | +/-0.5ppm | +/-4.6ppm | 不适用 | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | 0 至 85°C | 不适用 | 固定频率 |
| M32x TCXO 系列 RoHS | TCXO系列 | SM 5x3.2毫米 | +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | 0 至 85°C | 不适用 | 固定频率 |
| M50 TCXO 系列 RoHS | TCXO系列 | SM 5x3.2毫米 | +/-0.28ppm | +/-4.6ppm | 不适用 | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | 0 至 70°C | 不适用 | 第 3 层 |
| M51 TCXO 系列 RoHS | TCXO系列 | SM 5x3.2毫米 | +/-0.5ppm | +/-4.6ppm | 不适用 | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | 0 至 70°C | 不适用 | 固定频率 |
| M52 TCXO 系列 RoHS | TCXO系列 | SM 5x3.2毫米 | +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | 0 至 70°C | 不适用 | 固定频率 |
| M60 TCXO 系列 RoHS | TCXO系列 | SM 5x3.2毫米 | +/-0.28ppm | +/-4.6ppm | 不适用 | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | -40 至 85°C | 不适用 | 国际电联 |
| M61 TCXO 系列 RoHS | TCXO系列 | SM 5x3.2毫米 | +/-0.5ppm | +/-4.6ppm | 不适用 | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | -40 至 85°C | 不适用 | 固定频率 |
| M62 TCXO 系列 RoHS | TCXO系列 | SM 5x3.2毫米 | +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | -40 至 85°C | 不适用 | 固定频率 |
| M70 TCXO 系列 RoHS | TCXO系列 | SM 5x3.2毫米 | +/-0.28ppm | +/-4.6ppm | 不适用 | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | -20 至 70°C | 不适用 | 国际电联 |
| M71 TCXO 系列 RoHS | TCXO系列 | SM 5x3.2毫米 | +/-0.5ppm | +/-4.6ppm | 不适用 | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | -20 至 70°C | 不适用 | 固定频率 |
| M72 TCXO 系列 RoHS | TCXO系列 | SM 5x3.2毫米 | +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | -20 至 70°C | 不适用 | 固定频率 |
VCTCXO压控温补晶振：
| 零件编号 | 产品类型 | 逻辑系列 | 包 | 频率稳定性 | 频率容差 | 频率校准 | 电源电压 | 频率范围 | 温度范围 | 拉力范围 | 关键词 |
| M30x VCTCXO 系列 RoHS | VCTCXO | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-0.28ppm | +/-4.6ppm | 不适用 | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | 0 至 85°C | +/-10ppm | 电压控制 |
| M31x VCTCXO 系列 RoHS | VCTCXO | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-0.5ppm | +/-4.6ppm | 不适用 | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | 0 至 85°C | +/-10ppm | 电压控制 |
| M32x VCTCXO 系列 RoHS | VCTCXO | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | 0 至 85°C | +/-10ppm | 电压控制 |
| M50 VCTCXO 系列 RoHS | VCTCXO | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-0.28ppm | +/-4.6ppm | 不适用 | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | 0 至 70°C | +/-10ppm | 电压控制 |
| M51 VCTCXO 系列 RoHS | VCTCXO | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-0.5ppm | +/-4.6ppm | 不适用 | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | 0 至 70°C | +/-10ppm | 电压控制 |
| M52 VCTCXO 系列 RoHS | VCTCXO | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | 0 至 70°C | +/-10ppm | 电压控制 |
| M60 VCTCXO 系列 RoHS | VCTCXO | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-0.28ppm | +/-4.6ppm | 不适用 | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | -40 至 85°C | +/-10ppm | 电压控制 |
| M61 VCTCXO 系列 RoHS | VCTCXO | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-0.5ppm | +/-4.6ppm | 不适用 | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | -40 至 85°C | +/-10ppm | 电压控制 |
| M62 VCTCXO 系列 RoHS | VCTCXO | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | -40 至 85°C | +/-10ppm | 电压控制 |
| M70 VCTCXO 系列 RoHS | VCTCXO | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-0.28ppm | +/-4.6ppm | 不适用 | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | -20 至 70°C | +/-10ppm | 电压控制 |
| M71 VCTCXO 系列 RoHS | VCTCXO | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-0.5ppm | +/-4.6ppm | 不适用 | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | -20 至 70°C | +/-10ppm | 电压控制 |
| M72 VCTCXO 系列 RoHS | VCTCXO | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | -20 至 70°C | +/-10ppm | 电压控制 |
订购信息：
特点:
•3.3V操作
•LVCMOS或剪切正弦波输出逻辑
•迷你5 × 3.2mm SMT封装
•频率稳定性可用:
±0.28 ppm与地层3留置
±0.50 PPM或±1.00 PPM或±2.00 PPM
•温度范围:
0 ~ 70℃;0 ~ 85℃;-20 ~ 70℃;-40至85°C
•低功率< 6ma
•低抖动<1pS RMS
•相位噪声低
•磁带和卷轴包装
•符合RoHS标准/无铅
•推荐用于新设计
应用:
•STRATUM 3应用
•GPS接收器
•仪器
•家庭基站
•ftth, FTTC
