3N165系列单芯片双通道P沟道MOSFET

发布于：2024-01-04 13:45:28

品牌名称：Linear Systems

重要参数：

3N165:40 V

3N166:30 V

栅极电压:±80v

漏极电流(注2):50 mA

存储温度:-55℃~ +150℃

工作温度:-55℃~ +150℃

铅温(焊接，10秒);+300ºC

单侧功耗:300mw

总降额高于25ºC:4.2 mW/ºC


  • 产品详情

Linear Systems3N165系列单片双通道P沟道增强型MOSFET是Intersil和Siliconix-Vishay器件的直接替代品。它是放大器和开关应用的理想选择。该器件系列采用 TO-99 8L RoHS 和 SOIC 8L RoHS 封装以及裸片。

订购信息：

3N165 TO-99 8L RoHS

3N166 TO-99 8L RoHS

3N165 SOIC 8L RoHS

3N1646 SOIC 8L RoHS

3N163 Die

3N164 Die


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