LS26VNS N沟道JFET压控电阻器

发布于：2024-01-22 16:38:16

品牌名称：Linear Systems

订货周期：3-4周

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重要参数：

储存温度：-55 ~ +150°C

结工作温度：-55至+135°C

连续功耗@ Ta= +25°C： 350mW

栅极正向电流：I_G(F) = 10mA

门到源：V_GSS = -40V

栅极到漏极：V_GDS = -40V

产品详情

LS26VNS N 沟道单 JFET 压控电阻器具有漏源电阻，该电阻由施加到高阻抗栅极端子的直流偏置电压 (VGS) 控制。当VGS = -1.0V时，最小RDS为14 Ω。当VGS接近时，-6.0V RDS的夹断电压迅速增加到最大值，即RDS = 38 Ω。对于 P 通道版本，请参阅我们的LS26VPS。N 沟道和 P 沟道部件均由相同的芯片几何形状制成，因此具有互补性。该器件采用 TO-92 3L RoHS、SOT-23 3L RoHS 和 DFN 8L RoHS 封装以及裸片形式。

订购信息

以下是订购此部件时的选项：

LS26VNS TO-92 3L RoHS

LS26VNS SOT-23 3L RoHS

LS26VNS DFN 8L RoHS

特性

•连续电压控制电阻

•高关闭隔离

•高输入阻抗

•增益测距能力

•简化的驱动电压能力

•无电路交互

•宽范围信号衰减

好处

•宽范围信号衰减

•增益测距

•简化栅极驱动

•高击穿电压

•无电路交互

应用

•可变增益放大器

•自动增益控制

•压控振荡器

•小信号衰减

•滤波器范围控制