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1200 V, 40 A IGBT，采用反并联二极管，TO-247 封装
1200 V、40 A 硬开关TRENCHSTOP™ IGBT4，采用续流二极管在 TO247 中封装，由于结合了沟槽单元和场终止概念，显著提高了静态和动态性能。IGBT 和软恢复发射极控制二极管的结合进一步降低了开通损耗。由于开关和传导损耗间可实现折衷，因此可实现高效率。
特征描述
更低的传导损耗实现较低的 VCEsat 压降
低开关损耗
由于 VCEsat 中的正温度系数，因此易于进行平行开关
非常软且快速恢复的反平行发射极控制二极管
具有高鲁棒性、温度稳定的行为
低电磁干扰辐射
低栅极电荷
非常严格的参数分配
优势
高效率 - 得益于低导通和低开关损耗
600 V 和 1200 V 的全面产品组合可实现设计的高灵活性
器件可靠性高
参数：
