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Infineon英飞凌IKZA50N65SS5XKSA1,是650 V、50 A IGBT 分立式碳化硅肖特基二极管。
特征:
• TRENCHSTOP™ 5 和 CoolSiC 组合带来的超低开关损耗™二极管技术以及开尔文发射极封装
• 极低的导通损耗
• 硬开关拓扑中的基准开关效率 • 由于四引脚封装的引脚排列优化,简化了 PCB 设计 • 符合 JEDEC 标准,适用于目标应用
• 无铅电镀;符合 RoHS 标准
• 符合 JEDEC 47/20/22 相关测试的工业应用要求
好处:
• 最高效率
• 减少冷却工作量
• 提高功率密度
• 即插即用,可替代纯硅器件
• 轻松升级现有设计,提高效率
• 非常适合并联
Parametrics | IKZA50N65SS5 |
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Eoff (Hard Switching) | 0.52 mJ |
Eon | 0.23 mJ |
Ic (@ 100) max° | 60.5 A |
Ic (@ 25) max° | 80.0 A |
ICpuls max | 200.0 A |
IFmax | 38.5 A |
IFpulsmax | 150.0 A |
Ptotmax | 274.0 W |
Package | TO-247-4 |
QGate | 110.0 nC |
Switching Frequency min max | 10.0 kHz 30.0 kHz |
Switching Frequency | TRENCHSTOP™5 10-30 kHz |