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英飞凌IMBG120R030M1HXTMA1，采用TO-263-7封装的1200 V, 30 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET。
功能摘要:
极低的开关损耗
短路耐受时间，3 μs
完全可控的 dV/dt
基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5 V
可施加对寄生导通、0 V 关断栅极电压的鲁棒性
坚固耐用的体二极管，用于硬换向
.XT 互连技术可实现一流的热性能
1200 V 优化的 SMD 封装，具有爬电距离和电气间隙，PCB 上> 6.1 mm
用于优化开关性能的检测引脚
好处:
效率提升
实现更高的频率
提高功率密度
减少冷却工作量
降低系统复杂性和成本
SMD 封装可直接集成到 PCB 中，具有自然对流冷却功能，无需额外的散热器
应用:
驱动器
基础设施 - 充电器
能源生产 – 太阳能组串逆变器和太阳能优化器
工业电源 – 工业UPS
| Parametrics | IMBG120R030M1H |
|---|---|
| Ciss | 2290 pF |
| Coss | 105 pF |
| ID (@25°C) max | 56 A |
| Mounting | SMD |
| Operating Temperature min max | -55 °C 175 °C |
| Ptot (@ TA=25°C) max | 300 W |
| Package | TO-263-7 |
| Pin Count | 7 Pins |
| Polarity | N |
| QG | 63 nC |
| Qgd | 15 nC |
| Qualification | Industrial |
| RDS (on) (@ Tj = 25°C) | 30 mΩ |
| RthJA max | 62 K/W |
| RthJC max | 0.5 K/W |
| Tj max | 175 °C |
| VDS max | 1200 V |
