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IRHNS7460SE单N沟道MOSFET是一种抗辐射的单通道、N沟道MOSFET,可承受高达500V和12A的电流。它采用了SupIR-SMD封装,并具有单粒子效应强化、超低RDS(on)、总打压电荷低、简单驱动要求、轻巧、表面安装和符合 MIL-STD-750标准方法1020的3B级ESD等级等特点。它的TID等级为100krad,筛选级别为JANS当量(QIRL)。该器件适用于DC-DC转换器和电机驱动等潜在应用。
Part Number | Radiation Level | RDS(on) | l |
IRHNS7460SE | 100 kRads (Si) | 0.322 | 20A |