IRHNS597Z60单P沟道MOSFET

发布于：2024-04-22 14:57:32

品牌名称：IR HiRel

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重要参数：

ID (@25°C) max:-56 A

ID (@100°C) max:-56 A

Q:240 nC

RDS (on) (@25°C) max:13 mΩ

VBRDSS min:-30 V

VF max:-5 V

产品详情

IRHNS597Z60是抗辐射单通道P沟道MOSFET，-30V，56A，特点为单粒子效应强化、低RDS(on)、质子耐受、简单驱动、密封陶瓷封装、轻巧，适用于DC-DC转换器、电机驱动、配电电路、负载开关、电池充电。具ESD等级3A，TID级别100krad或300krad，符合MIL-STD-750标准，JANS筛选级别。

Part Number	Radiation Level	RDS(on)	l_D	QPL Part Number
IRHNS597Z60	100 kRads(Si)	0.0132	-56A*	JANSR2N7523U2A
IRHNS593Z60	300 kRads(Si)	0.0132	-56A*	JANSF2N7523U2A