- 产品详情
| Part number | Package | Screening Level | TID Level |
| RHYS67134CM | TO-257AA Low Ohmic | COTS | 100 krad(Si) |
| RHYS67134CMSCS | TO-257AA Low Ohmic | S-Level | 100 krad(Si) |
| JANSR2N7590T3 | TO-257AA Low Ohmic | JANS | 100 krad(Si) |
| RHYS63134CM | TO-257AA Low Ohmic | COTS | 300 krad(Si) |
| RHYS63134CMSCS | TO-257AA Low Ohmic | S-Level | 300 krad(Si) |
| JANSF2N7590T3 | TO-257AA Low Ohmic | JANS | 300 krad(Si) |
IRHYS67134CM是一款抗辐射、150V、19A的单通道N沟道MOSFET，采用TO-257AA低电阻封装。此型号具有如下特点：
- 单粒子效应(SEE)强化，保证高稳定性;
- 低总门电荷，提升性能表现;
- 低RDS(on)，减少功耗损耗;
- 快速切换，提高开关效率;
- 简单的驱动要求，易于集成和控制;
- 具备电气隔离和密封功能，可靠性高;
- 内置陶瓷孔眼设计，有效散热;
- 轻巧便携，适用于多种场合使用。
此外，该MOSFET符合ESD等级2级，符合MIL-STD-750方法1020标准。
该产品适用于以下领域：
- 用于FPGA、ASIC和DSP内核轨的负载点(PoL)转换器;
- 同步整流电路;
- 有源ORing电路;
- 配电电路;
- 负载开关等多种应用场景。
