- 产品详情
| ELECTRICAL CHARACTERISTICS @300C Case Temperature | ||||||||
| TYPE | wORKING PEAK REVERSE VOLTAGE Vrwm | MINIMUM BREAKDoWN vOLTAGE VBp@100μA | AVERAGE RECTIFIED CURRENT Io@TA=55℃ | MAXIMUM FORWARD VOLTAGE Vr@3A | MAXIMUM REVERSE CURRENT Ig@VrwM | MAXIMUM SURGE CURRENT (NOTE 1) psM | MAXIMUM REVERSE RECOVERY (NOTE 2) m | |
| VOLTS | VOLTS | AMPS | VOLTS | μA | AMPS | μSec. | ||
| 55℃ | 25C | 150%C | ||||||
| IN4245 | 200 | 240 | 1.00 | 1.3 | 1.0 | 150 | 25 | 5.0 |
| 1N4246 | 400 | 480 | 1.00 | 1.3 | 1.0 | 150 | 25 | 5.0 |
| 1N4247 | 600 | 720 | 1.00 | 1.3 | 1.0 | 150 | 25 | 5.0 |
| 1N4248 | 800 | 960 | 1.00 | 1.3 | 1.0 | 150 | 25 | 5.0 |
| 1N4249 | 1000 | 1150 | 1.00 | 1.3 | 1.0 | 150 | 25 | 5.0 |
1N4245至1N4249系列是由Microchip Technology生产的一系列“标准恢复”整流二极管，它们具有以下特点和应用：
产品特点：
军事级别认证：这些二极管符合MIL-PRF-19500/286标准，适用于高可靠性要求的应用场景。
封装类型：提供JAN, JANTX, 和 JANTXV封装，确保了产品的可靠性和耐用性。
密封结构：采用无空洞的密封玻璃封装，内部通过“Category I”金属化键合，提供了优秀的环境防护。
工作电压范围：工作峰值反向电压从200V至1000V，适用于多种电压需求。
高浪涌电流能力：能够承受高达25安培的正向浪涌电流，适合应对瞬时高电流冲击。
坚固耐用：具有极低的热阻和控制雪崩的能力，确保了在高功率条件下的稳定性。
抗辐射：本质上具有抗辐射能力，适合在辐射环境中使用。
应用领域：
军事应用：由于其高可靠性和军事级别认证，这些二极管非常适合军事装备。
高可靠性应用：在任何不允许故障的应用中，如医疗设备、交通控制系统等。
一般整流应用：包括整流桥、半桥、续流二极管等，适用于电源供应器、电机控制等。
工业应用：在需要高浪涌电流能力的工业设备中。
技术参数：
最大额定值：包括-65°C至+175°C的结温和存储温度，42°C/W的热阻，以及1.0安培的平均整流正向电流。
电气特性：在30°C的壳体温度下，具有从200V至1000V的工作峰值反向电压，以及1.3V的最大正向电压。
